Il transistor 3D corre a 50 GHz

Il transistor 3D corre a 50 GHz

Due istituti di ricerca asiatici stanno lavorando ad un nuovo tipo di transistor 3D capace di fornire performance dieci volte superiori a quelle degli attuali chip per computer. I primi esemplari sono attesi fra un paio d'anni
Due istituti di ricerca asiatici stanno lavorando ad un nuovo tipo di transistor 3D capace di fornire performance dieci volte superiori a quelle degli attuali chip per computer. I primi esemplari sono attesi fra un paio d'anni

Singapore – Mettere a punto un transistor di nuova concezione capace di operare a frequenze di clock comprese fra 20 e 50 GHz e di consumare meno energia. È quanto si prefiggono di fare due istituti di ricerca asiatici, il giapponese Unisantis Electronics e il singaporiano Institute of Microelectronics ( IME ), in seno ad un progetto congiunto della durata prevista di 24 mesi .

Le due organizzazioni hanno spiegato che il proprio transistor, battezzato Surrounding Gate Transistor (SGT), adotta una struttura tridimensionale : in altre parole, i componenti sono ordinati in senso verticale invece che, come nei transistor tradizionali, in senso orizzontale.

L’adozione di una struttura 3D non è una novità nel settore dei transistor, ed anzi sta diventando una soluzione sempre più gettonata nello sviluppo di circuiti elettronici di nuova generazione, specie per le memorie non volatili. Non a caso al capo del team che svilupperà SGT c’è Fujio Masuoka , considerato uno dei padri delle memorie flash. Masuoka coordinerà il lavoro di circa 30 ingegneri e scienziati che lavoreranno in un laboratorio di Singapore.

Lo scienziato ha spiegato che SGT è un cilindro verticale in silicio attorniato da celle di memoria, contatti elettrici e altri componenti. La struttura 3D, secondo Masuoka, riduce le distanze che gli elettroni devono percorrere all’interno del circuito: ciò consente di produrre circuiti più economici e in grado di generare meno calore di quelli tradizionali .

“SGT consente anche di migliorare ulteriormente i semiconduttori basati sul silicio, sia in termini di dimensioni dei transistor che in termini di velocità di elaborazione, e questo almeno 30 anni prima del raggiungimento del limite teorico dei chip in silicio”, ha dichiarato il professore giapponese.

Maggiori informazioni su SGT vengono fornite in questa pagina del sito di Unisantis.

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Pubblicato il 11 dic 2007
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