DRAM, Samsung le fa a 20nm

Inizia la produzione di massa per la memoria RAM dinamica da 20 nanometri, in un nuovo stabilimento da record
Inizia la produzione di massa per la memoria RAM dinamica da 20 nanometri, in un nuovo stabilimento da record

Mentre gli altri chipmaker sono fermi a memorie dinamiche basate su tecnologia a 30 o 40 nanometri, Samsung inizia la produzione di massa di moduli DRAM a 20 nanometri, dedicati ai computer di domani.

Inizialmente si partirà con banchi di memoria DDR3 da 2 GB ma entro la fine dell’anno prossimo la linea di prodotti realizzati a 20 nm verrà ampliata con moduli da 4, 8, 16 e 32 Gigabyte, per offrire una produttività sempre migliore e ridurre il consumo energetico.

A partire da questo mese, Samsung ha iniziato a produrre anche memorie flash NAND da 20 nanometri, con un volume di oltre 10.000 wafer al mese. Da qui al 2012 il produttore coreano conta di sfornare NAND realizzate con processo produttivo a 10 nm.

Di recente l’azienda ha anche speso 10,4 milioni di dollari per mettere in piedi un gigantesco impianto di produzione da 198.000 metri quadrati, chiamato Line-16, in cui vengono progettate e costruite le memorie in questione.

Attualmente Samsung controlla oltre il 40 per cento del mercato delle DRAM e resta il più grande produttore di flash NAND in circolazione, con oltre il 30 per cento delle quote di mercato.

Roberto Pulito

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23 09 2011
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