La tecnologia flash attualmente impiegata nei dischi SSD presenta svariati difetti pratici, non ultimi la riduzione di affidabilità dei dispositivi con l’andare del tempo, una riduzione che si fa sentire in misura nettamente superiore a quella che caratterizza gli hard disk magnetici. Per risolvere questa e altre magagne delle NAND flash c’è chi lavora alla realizzazione delle memorie a cambio di fase (PCM), con risultati recenti definiti “promettenti” nell’ottica della produzione vera e propria.
La società in questione si chiama NXP BV , è uno spin-off fuoriuscito da Philips e prosegue appunto il lavoro di Philips Semiconductors sui chip di tipo (PCM). Come le NAND flash le memorie PCM sono in grado di ritenere le informazioni binarie anche dopo l’interruzione del flusso di corrente, e tra i vantaggi più importanti rispetto alle altre tecnologie (NAND flash incluse) esse presentano performance migliori e capacità di miniaturizzazione superiori .
Tra i principi di funzionamento delle memorie PCM di NXP c’è la stessa modalità di immagazzinamento dati sfruttata sui supporti ottici registrabili come i DVD, dove un impulso laser fornisce il calore necessario a un materiale in policarbonato per passare dallo stato amorfo a quello cristallino.
Nel caso delle memorie PCM NXP impiega varie misture di elementi come germanio, tellurio e antimonio, studiando la giusta configurazione di materiali “droganti” e la loro possibile integrazione nel processo industriale CMOS correntemente utilizzato per produrre i chip di memoria. Si tratta, dicono gli stessi protagonisti, di ricerche ancora a uno stato piuttosto immaturo, ragion per cui la memoria flash avrà ancora una lunga vita davanti a sé, sempre che si sia disposti a venire a patti con le sue evidenti limitazioni.
E mentre si pensa a come sostituirla con qualcosa di meglio, la tecnologia NAND flash si ritaglia uno spazio di impiego innovativo a fianco delle DRAM volatili: AgigA Tech , società sussidiaria di Cypress Semiconductor , ha sviluppato un package definito AGIGARAM che prevede appunto la compattazione nello stesso dispositivo di memoria di un sottosistema energetico privo di batteria, chip di memoria DRAM sincrona ad alta velocità NAND flash, circuiteria per gestione intelligente dell’energia e un controller proprietario.
Il risultato di tutto questo è un componente che a interruttore acceso è in grado di funzionare come gli altri chip di memoria DRAM, ma quando la corrente svanisce salva i dati in memoria sulle NAND Flash sfruttando l’energia immagazzinata nel sottosistema per poi ripristinarli nelle DRAM una volta che la corrente elettrica torna a fluire attraverso i circuiti.
Indirizzata a ogni genere di impiego soprattutto nei settori in cui è necessario un livello di operatività “risk-free” e la perdita accidentale di dati non è contemplata, AGIGARAM viene commercializzata in due diverse famiglie di prodotto, BALI (con interfaccia SDRAM a 100 MHz e rivolta a un utilizzo “general purpose”) e CAPRI (interfaccia DDR-800 per applicazioni industriali e di networking). Una versione maggiormente performante di CAPRI, basata su chip DRAM di tipo DDR2 sarà disponibile in volumi a partire dal prossimo settembre.
Alfonso Maruccia
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5 giu 2009