I ricercatori di IBM sono riusciti a sopravanzare uno dei problemi principali per l’adozione di massa delle memoria a variazione di fase (PCM), aprendo la strada a un’adozione di massa della tecnologia di storage a stato solido sul medio termine.
Il nuovo progresso di IBM sulle PCM si chiama immagazzinamento di bit multipli in una singola cella di memoria: finora non era stato possibile ottenere operazioni di I/O affidabili con più bit, ma grazie a tecniche di modulazione e codifica avanzata delle informazioni Big Blue ha superato anche questo scoglio.
Stando a IBM, con gli ultimi progressi nella ricerca sulle memorie a variazione di fase si avvicina di molto il momento in cui il mercato potrà saggiare gli indubbi vantaggi di questo genere di tecnologia: i chip PCM sono in grado di coniugare una latenza bassa nelle operazioni di I/O – paragonabile a quella delle memorie DRAM – assieme a una affidabilità incomparabilmente superiore rispetto ai chip NAND Flash attualmente impiegati per lo storage a stato solido.
Le memorie PCM possono supportare 10 milioni di cicli di scrittura contro i “miseri” 30mila delle NAND Flash di classe enterprise, dice IBM, e per quanto riguarda i tempi di adozione sul mercato si parla di un numero limitato di smartphone dotato di chip PCM nel breve periodo e una diffusione ampia entro il 2016.
Alfonso Maruccia
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1 lug 2011