HP: microchip a memristori in tre anni

HP: microchip a memristori in tre anni

Nuovi risultati positivi dagli esperimenti su uno dei contendenti al trono del silicio. I memristori diventano più veloci, e si preparano a dare battaglia ai transistor per i dispositivi elettronici del futuro prossimo venturo
Nuovi risultati positivi dagli esperimenti su uno dei contendenti al trono del silicio. I memristori diventano più veloci, e si preparano a dare battaglia ai transistor per i dispositivi elettronici del futuro prossimo venturo

Come procede il design di circuiti elettronici integrati interamente basati su memristori ? Benissimo stando ai ricercatori di HP Labs , che per primi avevano annunciato la scoperta del “quarto stato fondamentale” dell’elettronica due anni or sono . La ricerca procede col vento in poppa, e il componente diverrà parte integrante della vita tecnologica di tutti i giorni entro tre anni .

Il perché i ricercatori siano così interessati a sostituire transistor con memristore è presto detto : il memristore è in grado di modificare il proprio stato al variare della corrente elettrica, e di conservare tale stato anche qualora si interrompesse il flusso di energia. Microchip di elaborazione dati (CPU) e per lo stoccaggio di informazioni (RAM-Flash) basati su memristori saranno più efficienti, meno affamati di corrente, con una capacità di scalare verso il basso impossibile da replicare con i transistor tradizionali.

Le ultime notizie che arrivano dagli HP Labs parlano di risultati importanti sulla via del passaggio di consegne fra transistor e memristor, con i ricercatori che dicono di aver trovato un metodo per assemblare stack tridimensionali di memristor per una scalabilità di storage e capacità computazionale ancora maggiore, e soprattutto di aver raggiunto una velocità di “switch” elettronico comparabile ai transistor usati comunemente .

I ricercatori di HP Labs avrebbero insomma superato uno degli ostacoli principali che separano la commercializzazione di dispositivi basati su memristori dai test in laboratorio, sempre considerando il fatto che se i tradizionali microchip di memoria sono composti da transistor grandi tra i 30 e i 40 nanometri, i prototipi di HP hanno memristori non più grandi di 3 nanometri. Capaci di passare dallo stato “on” a quello “off” in un nanosecondo (o miliardesimo di secondo).

“Non solo crediamo che in tre anni saremo migliori dei nostri concorrenti – ha dichiarato Stan Williams di HP – La tecnologia dei memristori ha davvero la capacità di continuare a scalare per un lungo periodo di tempo, e questo è un fatto davvero importante”. In tre anni, continua a promettere Williams, la memoria a memristori vanterà una capacità di immagazzinamento di 20 Gigabyte per pollice quadrato contro un valore (stimato) inferiore di due ordini di grandezza della memoria Flash.

Alfonso Maruccia

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Pubblicato il
8 apr 2010
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