Chip flash, dal Giappone un elisir di lunga vita

Un team di scienziati giapponesi ha progettato una memoria NAND flash di nuova generazione capace di funzionare per decine di anni, consumare meno energia e fornire capacità più elevate. Il Santo Graal degli SSD?
Un team di scienziati giapponesi ha progettato una memoria NAND flash di nuova generazione capace di funzionare per decine di anni, consumare meno energia e fornire capacità più elevate. Il Santo Graal degli SSD?

Tokyo – È noto come le memorie NAND flash attualmente sul mercato, utilizzate sulle memory card e i dischi a stato solido, abbiano una vita relativamente breve, che generalmente non supera i 10 anni. Sebbene l’industria stia mettendo a punto chip NAND Flash sempre più longevi, dal Giappone arriva l’annuncio di una tecnologia che, se attuabile, potrebbe rappresentare una vera svolta per le memorie flash.

Un gruppo di scienziati del National Institute of Advanced Industrial Science and Technology ( AIST ) sostiene di aver messo a punto, con la collaborazione dell’ Università di Tokyo , chip di memoria NAND flash in grado di sopportare oltre 100 milioni di riscritture , con una vita media stimata di 100 anni . Dulcis in fundo, questi chip assorbono oltre tre volte meno energia di quelli tradizionali, contribuendo così a migliorare l’autonomia dei dispositivi mobili, e possono essere prodotti con densità assai superiori.

Come noto, le celle di una memoria NAND flash (costituite da un array di transistor) supportano un numero finito di riscritture, dopodiché cessano di funzionare: nelle economiche Flash MLC (Multi-Level Cell) questo limite è tipicamente di 10mila cicli di cancellazione/scrittura. Gli scienziati giapponesi affermano di essere riusciti ad abbattere questa limitazione grazie all’utilizzo di transistor FeFET (Ferroelectric Gate Field-Effect), che garantiscono una vita utile fino a 10mila volte superiore a quella dei transistor utilizzati nelle memorie flash convenzionali.

I ricercatori hanno poi spiegato che le celle di memoria basate su transistor FeFET possono essere programmate con tensioni di 6 V, contro i 20 V normalmente richiesti dalle odierne memorie NAND flash, e possono essere costruite con tecnologie di processo di 10-20 nanometri , contro i 30 nm dei normali chip flash.

Il team giapponese dell’AIST ritiene che i vantaggi forniti dai transistor FeFET possano finalmente colmare il gap che oggi separa le memorie flash dagli hard disk, e decretare una volta per tutte la fine dei dischi magnetici .

Ora non resta che stare a vedere se i chip flash con transistor FeFET possano tradursi in prodotti commerciali, e quanto tempo ci vorrà perché ciò accada.

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17 07 2008
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