Da IBM transistor a doppia iniezione

Armonk (USA) – IBM ha aggiunto un’altra pietra miliare nel campo dei semiconduttori costruendo nei suoi laboratori un chip, per la precisione una RAM statica, basato su transistor a doppio gate detti Fin-Fet. Il gate funziona essenzialmente come un conduttore e regolatore di elettricità: raddoppiando il suo numero è possibile far passare attraverso un transistor più elettricità incrementando così le prestazioni di un chip.

Facile a dirsi ma molto meno a farsi. Gli ingegneri di IBM, che non sono certo gli unici ad inseguire la meta dei transistor multigate, sono per il momento riusciti a costruire un chip a due gate solo in via sperimentale e solo in uno dei laboratori più avanzati al mondo.

I transistor a doppio gate hanno l’importante caratteristica di ridurre sensibilmente la dispersione di corrente elettrica, dispersione che in un transistor basato sull’imminente tecnologia a 90 nanometri può arrivare a dimezzare l’energia transitata attraverso il gate. Il problema si fa particolarmente sentire con l’avanzare della miniaturizzazione dei transistor e il raggiungimento, per alcuni loro componenti, di dimensioni pari a pochi atomi.

Lo scorso anno Big Blue ha presentato una tecnologia, la Strained Silicon , che permette di ottimizzare il passaggio di elettroni all’interno dei transistor per incrementarne le prestazioni e diminuire i consumi energetici. In precedenza il colosso di Armonk ha brevettato altre tecnologie chiave nel campo dei semiconduttori come silicon-on-insulator, silicon germanium e low-k dielectric.