Milano – Samsung ha annunciato il primo prototipo di memoria XDR (eXtreme Data Rate) DRAM da 512 Megabit XDR costruito con un processo a 90 nanometri.
Samsung ha detto che la propria memoria XDR DRAM può trasmettere dati fino alla velocità di 9,6 GB/s, un valore 12 volte superiore a quello delle memorie DDR400 e 6 volte superiore a quello delle memorie RDRAM PC800, finora leader di mercato. Il nuovo chip di Samsung raggiunge un picco di velocità operativa di 4,8 Gbps a 1,8 volt.
“La XDR DRAM è stata studiata appositamente per applicazioni che richiedono prestazioni multimediali avanzate, tra cui la grafica 3D, come per esempio le più recenti console per i videogiochi, le TV digitali, i server di fascia alta e le più sofisticate workstation”, ha affermato Samsung in un comunicato.
Non a caso le XDR DRAM di Samsung saranno adottate nella PlayStation 3, la nuova console da gioco che Sony lancerà sul mercato nel 2006.
I moduli di memoria di Samsung saranno disponibili nelle versioni x2, x4, x8 e x16.
L’ interfaccia XDR è stata sviluppata negli scorsi anni da Rambus con l’intento di spingere le performance delle memorie e rilanciare la sfida alle più economiche e diffuse DDR SDRAM. Secondo la società di ricerca IDC, il mercato delle XDR DRAM salirà notevolmente nei prossimi tre anni (2006-2009) fino a raggiungere 800 milioni di unità.
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24 mag 2005