Intel e Micron sfornano flash da primato

La joint venture presenta nuove memorie NAND MLC a 20nm. Chip ancora più densi da utilizzare con SSD, smartphone e tablet con capienze a livello di quelle magnetiche

Roma – Le memorie flash realizzate con processo a 20 nanometri sono pronte a supportare ulteriormente tablet, smartphone e dischi rigidi SSD. Intel e Micron Technology hanno presentato la prima NAND MLC (Multi Level Cell) da 128Gb e contemporaneamente avviato la produzione di massa del modello da 64 Gigabit, che occupa un’area di soli 118 mm 2 .

I campioni della versione più capiente saranno disponibili dal mese di gennaio e arriveranno ufficialmente sul mercato entro la prima metà del 2012. Il comunicato sottolinea che la soluzione consente di mettere insieme package lillipuziani che arrivano ad 1 Terabit di storage utilizzando solamente otto die.

Questa nuova generazione di chip NAND flash a 20nm raddoppia la densità di memorizzazione delle precedenti memorie flash MLC realizzate a 25nm, oltre a garantire velocità e prestazioni eccellenti nel trasferimento dei dati a prezzi abbordabili.

Il nuovo chip da 128Gb rispetta le specifiche tecniche ONFI 3.0, traducibile in una velocità di 333MT/s (megatransfer al secondo). Performance di tutto rispetto che aprono la strada all’arrivo di unità a stato solido con una marcia in più. I risvolti pratici in campo mobile sono altrettanto intuibili, dato che i progettisti di apparecchi tascabili sono sempre alla ricerca di componenti ultra-compatti.

Roberto Pulito

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