Assago ? Intel ha dato il via alla produzione di massa della prima memoria flash NOR MLC (Multi-Level Cell) a 90 nanometri .
La nuova memoria Intel StrataFlash M18 offre una velocità maggiore e un consumo di energia ridotto, rispetto alla versione da 130 nanometri, ed è pensata appositamente per il mercato dei telefoni cellulari di nuova generazione e dei PDA multifunzione. Sono infatti questi i dispositivi che più di altri hanno raccolto un’enorme quantità di funzionalità nel corso degli ultimi anni e richiedono autonomia e velocità sempre maggiori .
“Le memorie flash sono una delle tecnologie trainanti per lo sviluppo delle nuove generazioni di dispositivi portatili”, ha affermato Darin Billerbeck, vice presidente del flash products group di Intel. “Le nuove memorie M18 offrono ai progettisti di telefoni cellulari la combinazione di prestazioni, densità e bassi consumi “.
Le nuove Intel StrataFlash dispongono ora della velocità di lettura più elevata nel loro settore di applicazione, consentendo alla memoria di lavorare alla stessa velocità del bus della nuova generazione di chipset per cellulari, ovverosia fino alla frequenza di 133 MHz.
Con una velocità quasi identica, tra bus e memoria, l’interazione tra le applicazioni risulta quasi istantanea. Inoltre, la velocità di scrittura si attesta sui 0,5 MB al secondo il che rende più rapido il salvataggio dei file dei dispositivi che utilizzano fotocamere da 3 megapixel e video MPEG4.
Per quel che riguarda il risparmio energetico, è l’azienda stessa ad annunciare che il nuovo tipo di memoria M18 consuma circa un terzo dell’energia rispetto alla generazione precedente da 130 nm ed è anche dotata della funzione Deep Power Down per prolungare l’autonomia della batteria.
Per assicurarsi la perfetta integrazione delle sue memorie, Intel ha collaborato con i più importanti fornitori di chipset per telefoni cellulari come Infineon , ADI , Philips e Mediatek e con due grandi marchi del mercato dei dispositivi mobile come Sony Ericsson e NEC .
Dario Panzeri