Intel migliora le flash per cellulari

Santa Clara (USA) – Dopo essersi servita della tecnologia di processo a 65 nanometri per migliorare il rapporto performance/consumi della sua ultima generazione di CPU, Intel utilizzerà ora questa stessa tecnologia per produrre memorie flash NOR con densità di 1 Gigabit (128 MB).

Il passaggio dalla tecnologia a 90 nm verso quella a 65 nm, insieme all’adozione della tecnologia Multi-Level Cell, ha permesso ad Intel di raddoppiare la densità di memorizzazione dei suoi chip flash NOR, che in precedenza era di 512 Mbit. Il prossimo anno il colosso di Santa Clara sarà in grado di produrre chip flash NOR da 2 Gbit , pari a 256 MB, basati su circuiti a 45 nanometri: ciò apre la strada all’integrazione, nei cellulari, di svariate centinaia di megabyte di memoria.

Basati sull’architettura StrataFlash, i nuovi chip incrementano le performance della precedente generazione spingendo la velocità di lettura a 133 MHz e quella di scrittura a 1 MB/s, contro i 500 KB/s dei chip a 90 nm. Le nuove memorie, secondo Intel, sono ideali per la memorizzazione di foto e video catturati con fotocamere fino a 4 megapixel di risoluzione .

Intel ha spiegato che i nuovi chip NOR migliorano anche l’autonomia dei dispositivi mobili , e questo grazie alla riduzione della tensione di lavoro (pari a 1,8 volt) e ad una più avanzata modalità di risparmio energetico.

Dal momento che le nuove memorie StrataFlash sono compatibili, a livello di contatti, con quelle da 90 nm, i produttori possono migrare verso i nuovi chip NOR senza riprogettare i propri dispositivi.

Le memorie flash hanno, come noto, la capacità di conservare le informazioni anche in assenza di alimentazione, rendendole così particolarmente adatte all’uso nei dispositivi mobili. I chip flash NOR sono primariamente utilizzati come memoria di sistema in telefoni cellulari, PDA e in altri dispositivi embedded, dove in genere hanno il compito di immagazzinare dati personali, fotografie, musica e video. I vantaggi dell’architettura NOR sono un’elevata affidabilità nel tempo ed un veloce accesso in lettura. Le memorie NAND, che hanno in genere densità più elevate e migliori velocità in scrittura, si sono invece affermate come lo standard per le memory card ed altri dispositivi di memoria esterni.

Intel ha già avviato le consegne in volumi dei suoi primi chip StrataFlash a 65 nm.