Dalla comunità scientifica russa, in particolare dal Moscow Institute of Physics and Technology (MIPT) e dall’Accademia delle Scienze russa, arriva una nuova tipologia di memoria magnetoelettrica chiamata MELRAM . Una tecnologia che si “piega” per immagazzinare lo stato di informazione di un bit e che non richiede di essere continuamente alimentata da energia elettrica come le RAM tradizionali.
I ricercatori russi evidenziano i rapidi passi evolutivi che le memorie hanno conosciuto in questi anni, sottolineando altresì l’impossibilità, per la tecnologia alla loro base, di superare la limitazione principale della scarsa efficienza energetica. Un sistema come MELRAM, invece, ha la capacità di ridurre i consumi energetici di “un fattore di 10.000 o più.”
La cella di memoria MELRAM ideata dagli esperti russi è composta da due elementi principali, vale a dire un materiale piezoelettrico e uno strato di componente caratterizzato da magnetoelasticità. Quando si applica un voltaggio, il materiale piezoelettrico si deforma e genera a sua volta un voltaggio, mentre gli strati magnetoelastici possono essere magnetizzati in due diverse direzioni – una qualità ideale per rappresentare gli uni e gli zero di un bit di informazione digitale.
Una volta registrato uno stato magnetico, la cella MELRAM ritiene quello stato anche quando viene interrotta la corrente. Gli attuali moduli di memoria dinamica, invece, necessitano di continui “refresh” energetici per non far svanire il loro contenuto prima della fatidica pressione del tasto di spegnimento.
La tecnologia MELRAM si è per ora concretizzata in un prototipo lungo 1 millimetro , e i ricercatori dicono che si tratta di una soluzione che ben si presta alla miniaturizzazione necessaria all’impiego come memoria per dispositivi informatici, senza un impatto particolarmente negativo su consumi o efficienza energetica.
Alfonso Maruccia
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