La molibdenite sostituirà il silicio?

Ricercatori europei annunciano la realizzazione di un microchip composto dal materiale possibile candidato a prendere il posto del silicio. Sottile come il grafene, la molibdenite si miniaturizza meglio del silicio

Roma – Che sia la molibdenite il candidato ideale a sostituire il silicio nella corsa sempre più spinta alla miniaturizzazione dei transistor elettronici? Stando ai ricercatori dell’École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), il minerale (solfuro di molibdeno o MoS2) ha tutte le carte in regola per riuscire nella titanica (e sin qui impossibile) impresa.

Gli scienziati svizzeri hanno infatti annunciato la creazione di un “chip” prototipo composto da 2-6 transistor “montati” in serie, dimostrando che le operazioni logiche basilari su base binaria funzionano e che è possibile realizzare un chip molto più complesso in quanto a transistor e capacità computazionali connesse.

Il MoS2 ha le caratteristiche ideali per poter ambire al “trono” detenuto dal silicio come materiale d’elezione nella produzione di microchip e componenti elettronici: come il silicio ha buone capacità semiconduttive, diversamente da esso si presta a un livello di miniaturizzazione molto più spinto con transistor funzionanti teoricamente spessi appena tre atomi (0,2 nm) contro i 2 nanometri considerati il limite ultimo raggiungibile dal silicio.

La molibdenite ha poi caratteristiche proprie del grafene come la configurazione degli atomi in strati bidimensionali flessibili, fatto che potrebbe portare alla realizzazione di chip e dispositivi elettronici compatti, flessibili, indossabili e quant’altro.

E se l’integrazione del grafene nella tecnologia digitale contemporanea comporta non pochi problemi per vie delle sue caratteristiche intrinseche, il MoS2 ha un ulteriore vantaggio sul “materiale delle meraviglie” derivato dalla grafite: come il silicio e diversamente dal grafene, la molibdenite è dotata di un “band gap” che permette la completa interruzione del passaggio del flusso elettronico.

Alfonso Maruccia

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