Se in Giappone c’è Toshiba che lavora alle memorie magnetiche a effetto spintronico super-efficienti , negli States ci si spinge anche oltre le MRAM progettando le MeRAM: nato presso i laboratori californiani dell’UCLA, il nuovo tipo di memoria migliora di diversi ordini di grandezza l’efficienza nello stoccaggio degli “stati” binari dell’informazione digitale. A una frazione infinitesimale dell’energia richiesta nel primo caso.
Le MeRAM continuano a essere memorie non volatili di tipo spintronico , vale a dire capaci di sfruttare lo stato quantistico degli elettroni noto come spin per conservare la proprietà dei bit dei dati in formato digitale. La differenza con le MRAM di Toshiba sta piuttosto nel modo in cui le informazioni vengono scritte.
Mentre le MRAM necessitano dell’uso di corrente elettrica per modificare lo stato dello spin degli elettroni, le MeRAM dell’UCLA hanno sono bisogno di applicare un voltaggio (differenza di potenziale elettrico fra due poli opposti) per compiere la stessa operazione.
Il risultato della complessa tecnica ideata dai ricercatori statunitensi, in partnership con Western Digital, DARPA e altre aziende private, è che le informazioni binarie sono immagazzinabili in maggiore quantità con un’efficienza energetica molto superiore. I ricercatori dicono che la tecnologia richiede da 10 a 1.000 volte meno energia rispetto alle MRAM “tradizionali”.
Quando (e se?) le MeRAM arriveranno sul mercato, suggeriscono i ricercatori, la tecnologia elettronica sarà arrivata al punto da potersi avviare all’istante senza stadi di stand-by e con gli stati di memoria pienamente integrati con la logica dei microchip usati per il calcolo.
Alfonso Maruccia
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21 dic 2012