Nanolitografie del futuro crescono

Roma – La eBeam Initiative , consorzio recentemente formato da società tecnologiche abituate a innovare, si pone l’obiettivo di migliorare l’approccio di design e produzione dell’industria dei semiconduttori aumentando il throughput delle tradizionali tecniche di esposizione litografica e-beam . Recentemente il consorzio ha annunciato la validazione di un nuovo “design for e-beam” (DFEB), impiegabile con successo per la realizzazione di piattaforme SOC (System-on-a-chip) a 65 nanometri e a bassi volumi produttivi.

Nella più comune tecnica di fabbricazione nanolitografica nota come Electron-Beam Direct-Write Lithography (EBDW), un fascio di elettroni viene utilizzato per sviluppare uno stampo su base polimerica. Il consorzio eBeam nasce appunto per far avanzare questa tecnica riducendo il numero di “shot” necessari a realizzare lo stampo , con un conseguente aumento del flusso di elettroni che è possibile veicolare tramite EBDW.

L’annuncio del gruppo tecnologico comunica il successo della collaborazione tra D2S , e-Shuttle e Fujitsu Microelectronics (tutte e tre membri del consorzio) nella realizzazione di una metodologia DFEB che richiede un numero di “shot” 10 volte inferiore di quello necessario alle tecniche e-beam tradizionali , metodologia che è stata utilizzata con successo per produrre un chip prototipo a 65 nm che rispetta tutti gli obiettivi prefissati di performance, energia e dimensioni.

“Con questo chip prototipo”, ha dichiarato orgoglioso il vice presidente esecutivo di Fujitsu Yoji Hino, “abbiamo i risultati tangibili del fatto che DFEB ci permette di rispettare il numero di shot richiesti senza sacrificare la qualità del progetto risultante. DFEB rende ora praticabile la realizzazione di prototipi maskless”.

Alfonso Maruccia