Più vicina l'alternativa alle FlashROM

Kyoto (Giappone) – Una delle più promettenti alternative alle attuali tecnologie di memoria, volatili e non volatili, sembra ormai profilarsi all’orizzonte. Durante la conferenza VLSI Symposia, IBM e Infineon Technologies hanno annunciato di aver compiuto un importante passo avanti verso la commercializzazione, il prossimo anno, delle prime memorie basate sulla tecnologia Magnetic Random-Access Memory (MRAM).

Questo tipo di memoria, a cui IBM sta lavorando dai primi anni ’70, ha la particolarità di immagazzinare le informazioni, ovvero i bit, non attraverso cariche elettriche, come succede nelle memorie tradizionali, ma attraverso cariche magnetiche.

Questa caratteristica fa sì che le MRAM siano più veloci delle attuali memorie in silicio, consumino molta meno energia e, cosa non da poco, conservino le informazioni immagazzinate anche in assenza di corrente elettrica. IBM sostiene che le MRAM, racchiudendo in sé le migliori caratteristiche delle memorie tradizionali (DRAM, SRAM e Flash) possano potenzialmente essere utilizzate in qualsiasi apparato elettronico, dai PC ai telefoni cellulari, dai PDA ai player MP3. IBM ha sottolineato come l’impiego delle MRAM nel settore desktop potrà consentire ai personal computer di avviarsi in modo quasi istantaneo.

Le memorie MRAM hanno tempi di scrittura che, secondo IBM, sono circa 1.000 volte inferiori a quelli di una Flash RAM e tempi di lettura circa 20 volte inferiori a quelli delle più veloci DRAM. Sul lato dei consumi, Big Blue afferma invece che le memorie magnetiche richiedono circa un centesimo dell’energia elettrica di cui necessitano le tradizionali memorie DRAM.

Sebbene, come si è detto, le MRAM rappresentino un’interessante alternativa alle attuali memorie RAM per PC, il campo di applicazione dove inizialmente hanno più chance di sfondare è quello dei dispositivi mobili, un segmento notoriamente dominato dalle memorie Flash RAM. Rispetto a queste, le MRAM sono notevolmente più veloci, tuttavia sono anche più difficili da costruire e richiedono, da parte dei produttori, l’investimento di forti somme per l’acquisto di nuovi macchinari. Resta dunque da vedere quanto tempo ci vorrà prima che le MRAM divengano abbastanza economiche da insidiare le Flash.

IBM e Infinon contano di rilasciare i primi campioni di memorie MRAM nel 2004 e iniziare la produzione di massa entro la fine del 2005. Fra gli altri produttori in corsa per la commercializzazione delle MRAM ci sono anche Samsung, NEC, Motorola e Toshiba.

Entro lo stesso periodo dovrebbero arrivare sul mercato un altro tipo di memorie, chiamate Ferroelettric RAM (FeRAM), di cui Hynix Semiconductor e Texas Instruments hanno già prodotto i primi prototipi. Rispetto alle MRAM, le FeRAM sono più lente, ma più economiche da produrre e, in ogni caso, nettamente superiori alle Flash.