Provini a 65 nanometri per Intel

Santa Clara (USA) – Mentre ancora il mondo dei PC attende l’arrivo dei primi processori basati sulla tecnologia di fabbricazione a 90 nanometri (nm), Intel ha annunciato di aver prodotto chip con tecnologia a 65 nm.

Il colosso californiano sostiene che il suo nuovo processo di produzione, sperimentato nella realizzazione di chip di memoria SRAM (Static Random Access Memory), verrà messo in produzione a partire dal 2005, anno in cui faranno capolino sul mercato i suoi primi processori dual-core.

Oggi la maggior parte dei processori per PC vengono fabbricati con un processo a 130 nm che, a partire dal prossimo anno, lascerà progressivamente il passo a quello a 90 nm.

Intel ha spiegato che la nuova tecnologia a 65 nm (un nanometro corrisponde a un miliardesimo di metro) combina transistor dalle prestazioni più elevate e a basso consumo di energia con una tecnologia strained silicon di seconda generazione, interconnessioni in rame ad alta velocità e un materiale dielettrico low-k (a bassa costante k). Realizzando chip con il processo a 65 nm, Intel afferma che sarà in grado di raddoppiare il numero di transistor installabili su un unico chip.

“Grazie a questo risultato, la tecnologia a 65 nm di Intel è destinata a confermare il nostro record, iniziato 15 anni fa, di velocizzare la produzione con un processo di nuova generazione ogni due anni. In realtà sono trascorsi solo 20 mesi dall’annuncio della realizzazione di SRAM pienamente funzionanti con il processo a 90 nm, che è ora nella rampa produttiva”, ha spiegato Sunlin Chou, senior vice president e general manager del Technology and Manufacturing Group di Intel. “Con il processo a 65 nm riusciremo a realizzare prodotti più evoluti a costi inferiori e, nel contempo, ci consentirà di continuare a conservare la validità della Legge di Moore”.

I transistor prodotti con la tecnologia a 65 nm hanno una lunghezza del gate, il dispositivo di controllo costituito da un elettrodo, di 35 nm contro i 50 nm degli attuali chip a 130 nm: questo, secondo Intel, consente di incrementare la frequenza di clock di un fattore compreso fra il 40% e il 50%.

Intel ha utilizzato il processo a 65 nm per realizzare chip SRAM da 4 Mb pienamente funzionanti con una dimensione delle celle pari a 0,57 micron quadrati. Le celle SRAM di piccole dimensioni favoriscono l’integrazione di cache più grandi nei processori, con un conseguente aumento delle prestazioni. Ogni cella di memoria SRAM contiene sei transistor: 10 milioni di questi transistor possono essere inseriti in un’area da 1 millimetro quadrato, che corrisponde all’incirca alla dimensione della punta di una penna a sfera.

I dispositivi semiconduttori a 65 nm sono stati prodotti presso la fabbrica di Hillsboro, in Oregon, capace di sfornare wafer da 300 mm: questo impianto di produzione, il più recente di Intel, contiene una clean room di 16.350 metri quadrati, pari a circa tre volte e mezzo la dimensione di un campo da football americano.