Samsung e le DDR3 tridimensionali

Il colosso Coreano presenta 8 Gigabyte di DDR3 da record, basati sulla tecnica 3D che dispone verticalmente la circuiteria. Per aumentare la densità, risparmiare spazio ed energia
Il colosso Coreano presenta 8 Gigabyte di DDR3 da record, basati sulla tecnica 3D che dispone verticalmente la circuiteria. Per aumentare la densità, risparmiare spazio ed energia

Samsung si prepara a rivoluzionare di nuovo il concetto di memoria volatile, avviando la produzione di moduli DDR3 da ben 8GB che utilizzano la tecnologia chip stacking a tre dimensioni. Si tratta di un approccio TSV (Through Silicon Via) che riesce a risparmiare fino al 40 per cento della potenza rispetto a un modulo RDIMM convenzionale, aumentando al tempo stesso densità ed efficienza della DRAM in gioco.

Con la tecnica 3D proposta dal TSV , che impila gli integrati uno sull’altro, la distanza che il flusso dei dati deve percorrere si accorcia notevolmente. Dato che un chip multi-strato riesce a raggiungere performance paragonabili a quelle di un singolo chip di silicio, i server di domani potranno tranquillamente rinunciare a qualche slot di memoria.

Secondo Samsung , per ottenere successo con il collegamento verticale del Through Silicon Via bisogna innanzitutto lavorare in maniera “ordinata”: una disposizione errata delle brevi interconnessioni in rame potrebbe compromettere l’affidabilità. Ma anche la gestione termica rappresenta una brutta gatta da pelare,quando si progetta in modo tridimensionale.

Il banco “Green Memory” da 8 gigabyte DDR3, mostrato di recente, è stato realizzato con un processo costruttivo a 40 nanometri, ma da qui al 2012 il produttore coreano conta di scendere almeno a 30 nanometri. In attesa dello step ulteriore, rappresentato dall’arrivo delle memorie DDR4.

Roberto Pulito

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09 12 2010
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