Samsung, memory card da 16 GB in vista

Samsung getta le basi per l'arrivo, nei prossimi mesi, delle prime schede di memorie flash con capacità di 16 GB. Svelati anche nuovi chip di memoria DDR2 con tecnologia 3D
Samsung getta le basi per l'arrivo, nei prossimi mesi, delle prime schede di memorie flash con capacità di 16 GB. Svelati anche nuovi chip di memoria DDR2 con tecnologia 3D


Seoul (Corea del Sud) – Samsung ha sviluppato un nuovo chip di memoria flash NAND da 8 gigabit avvalendosi di un nuovo processo di produzione a 60 nanometri.

La tecnologia a 60 nm ha permesso al gigante dell’elettronica coreano di ridurre la dimensione dei suoi attuali chip di memoria flash da 70 nm del 30% e di raddoppiarne la capacità di memorizzazione. Ciò significa che Samsung sarà in grado, mettendo insieme più chip da 8 gigabit, di produrre memory card con capacità fino a 16 GB capaci di archiviare 16 ore di video DVD e 4.000 file MP3 con qualità vicina a quella del CD.

Samsung ha anche annunciato l’introduzione sul mercato di una nuova generazione di chip di memoria DDR2 da 2 gigabit che utilizzano circuiti da 80 nm e una tecnologia, chiamata Recess Channel Array Transistor (RCAT), basata su di un’architettura interna 3D: questa consiste nell’uso di più strati di silicio per “impilare” i transistor e moltiplicare così la densità delle memorie. I nuovi chip saranno impiegati per la produzione di moduli di memoria con capacità fino a 8 GB (un modulo è composto da più chip di memoria) che dovrebbe arrivare sul mercato durante la metà del prossimo anno.

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20 09 2004
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