Seoul (Corea del Sud) – Samsung ha sviluppato un nuovo chip di memoria flash NAND da 8 gigabit avvalendosi di un nuovo processo di produzione a 60 nanometri.
La tecnologia a 60 nm ha permesso al gigante dell’elettronica coreano di ridurre la dimensione dei suoi attuali chip di memoria flash da 70 nm del 30% e di raddoppiarne la capacità di memorizzazione. Ciò significa che Samsung sarà in grado, mettendo insieme più chip da 8 gigabit, di produrre memory card con capacità fino a 16 GB capaci di archiviare 16 ore di video DVD e 4.000 file MP3 con qualità vicina a quella del CD.
Samsung ha anche annunciato l’introduzione sul mercato di una nuova generazione di chip di memoria DDR2 da 2 gigabit che utilizzano circuiti da 80 nm e una tecnologia, chiamata Recess Channel Array Transistor (RCAT), basata su di un’architettura interna 3D: questa consiste nell’uso di più strati di silicio per “impilare” i transistor e moltiplicare così la densità delle memorie. I nuovi chip saranno impiegati per la produzione di moduli di memoria con capacità fino a 8 GB (un modulo è composto da più chip di memoria) che dovrebbe arrivare sul mercato durante la metà del prossimo anno.