Samsung pronta per Rambus a 576 MB

Il colosso asiatico ha raddoppiato la capacità di un singolo chip Rambus DRAM ed è ora in procinto di fabbricare moduli RIMM da 576 MB


Seoul (Corea) – Samsung, uno dei primi chipmaker ad essersi accordata con Intel per la produzione delle nuove memorie Rambus DRAM, ha annunciato di aver concluso lo sviluppo di chip RDRAM da 0,17 micron e 288 Mbit di capacità, il doppio di quelli attualmente in produzione.

Con la più alta densità di fabbricazione raggiunta, il colosso coreano sarà in grado di produrre moduli RIMM (Rambus In-line Memory Module) da 576 MB, costituiti da 16 chip da 288 Mbit. La produzione, comunque, non avrà inizio prima della seconda metà di quest’anno.

Per febbraio Samsung si aspetta di raggiungere una capacità produttiva mensile pari a circa 2 milioni di chip RDRAM da 144 Mbit, un taglio che a dicembre ritornerà sul milione di unità mensili a favore dei nuovi chip da 288 Mbit.

A differenza delle memorie SDRAM, attualmente in grado di raggiungere i 266 MHz di clock, le memorie RDRAM adottano una tecnologia che può raggiungere sviluppi molto più ampi, arrivando a supportare anche fino a 800 MHz di clock. Resta da vedere quando il loro rapporto prezzo/prestazioni potrà arrivare a battere le economiche, e per ora sufficientemente veloci, SDRAM.

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