SanDisk: ora le flash hanno il turbo

Il produttore americano ha annunciato una tecnologia che migliorerà le performance dei drive flash fino a 100 volte, questo indipendentemente dalla velocità intrinseca dei rispettivi chip di memoria. Seagate lavora invece agli SSD ibridi
Il produttore americano ha annunciato una tecnologia che migliorerà le performance dei drive flash fino a 100 volte, questo indipendentemente dalla velocità intrinseca dei rispettivi chip di memoria. Seagate lavora invece agli SSD ibridi

Le performance dei drive flash migliorano costantemente, ma spesso le velocità dichiarate dal produttore – specie in scrittura – non rispecchiano quelle reali. La ragione è da ricercare nella scarsa efficienza con cui le memorie flash vengono attualmente gestite dai controller interni e dai driver dei sistemi operativi. Per ridurre la discrepanza tra performance reali e dichiarate, e massimizzare la velocità dei dispositivi flash (drive USB, memory card, SSD ecc.), SanDisk ha sviluppato la tecnologia ExtremeFFS (Flash File System), che si accompagna a nuovi sistemi di misurazione della durata e delle performance delle memorie flash.

Evoluzione della tecnologia TrueFFS di M-systems, società che SanDisk acquisì nel 2006, ExtremeFFS fa in modo che la posizione dei dati sul drive non sia associata in modo fisso al relativo spazio fisico, come accade ora, ma venga gestita da una mappa virtuale della memoria . In altre parole, la mappa della memoria utilizzata dal sistema operativo, basata sullo stesso modello di quella degli hard disk (con cilindri e settori), non è più collegata in modo statico alla mappa fisica del drive flash: ciò permette al software e al controller del dispositivo di gestire le letture e le scritture dei dati in modo più efficiente , migliorando le performance e la longevità della memoria flash.

ExtremeFFS è inoltre in grado di gestire i canali NAND in modo indipendente , parallelizzando le operazioni di lettura e scrittura, di fornire funzionalità di garbage collecting, caching e di riorganizzazione dinamica dei dati in base alla loro frequenza di accesso (i dati più richiesti vengono scritti nelle posizioni a più rapido accesso).

Una spiegazione più approfondita delle tecniche utilizzate dalla tecnologia di SanDisk viene fornita in questo articolo di Ars Technica .

SanDisk afferma che, in certe circostanze, la tecnologia ExtremeFFS può incrementare la velocità delle scritture casuali fino a 100 volte . I benefici saranno particolarmente visibili nella copia di molti file di piccole dimensioni, un’operazione che oggi può ridurre drasticamente le performance anche dei drive a stato solido più veloci.

Insieme alla sua nuova tecnologia, che dovrebbe far capolino sui drive flash all’inizio del prossimo anno, SanDisk ha ideato due unità di misura con cui esprimere, in modo approssimato, la longevità e la velocità delle memorie flash. La prima porta il nome di LDE (Long-term Data Endurance), e indica una stima del numero di terabyte che possono essere scritti su un supporto di memorizzazione flash prima che questo divenga inaffidabile. Il valore vRPM (virtual Revolutions Per Minute), che richiama alla memoria gli RPM (Rotazioni Per Minuto) degli hard disk, fornisce invece una indicazione di massima delle performance.

“I risultati forniti dal nuovo sistema di misurazione vRPM mostrano che gli SDD sono più veloci degli HDD nelle letture e scritture causali”, spiega SanDisk sul proprio sito .

Seagate guarda agli SSD ibridi
Seagate, ultima arrivata sul mercato dei dischi a stato solido, ha investito circa 100 milioni di dollari nello sviluppo di un nuovo tipo di SSD che, mescolando tra loro chip NAND flash SLC (Single-Level Cell) e MLC (Multi-Level Cell), migliora le performance e la longevità dei drive flash pur contenendone il costo.

Come noto, i chip MLC hanno costi e performance inferiori a quelli SLC, e vengono utilizzati sui dispositivi flash mainstream.

Tutti gli SSD di Seagate utilizzeranno anche la tecnologia wear levelling , che prolunga la vita dei chip flash distribuendo omogeneamente le scritture su tutte le celle di memoria disponibili: ciò evita che il sistema operativo scriva sempre sulle stesse celle, esaurendone rapidamente la vita utile (oggi dichiarata intorno ai 50-100mila cicli di riscrittura).

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06 11 2008
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