TSMC svela un nanotransistor da record

Il gigante dei chip taiwanese annuncia di aver prodotto il primo transistor da 25 nanometri utilizzando i suoi tradizionali impianti di produzione. I nanochippetti escono dai laboratori
Il gigante dei chip taiwanese annuncia di aver prodotto il primo transistor da 25 nanometri utilizzando i suoi tradizionali impianti di produzione. I nanochippetti escono dai laboratori


San Jose (USA) – Se proprio pochi giorni fa Sony e Toshiba si sono dette in grado di produrre chip su scala industriale con tecnologia a 65 nanometri (nm), il gigante Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) ha ieri prontamente risposto annunciando di aver prodotto, con processi industriali, il primo transistor da 25 nm: fino ad oggi, infatti, transistor di questa dimensione erano stati prodotti solo in laboratorio.

TSMC, che ha la sua sede principale a Taiwan, è il più grande produttore indipendente di chip e fra i suoi clienti conta aziende come Via, Nvidia, NEC e Transmeta.

Per la costruzione della sua nuova generazione di transistor a 25 nm TSMC si è avvalsa della tecnologia a doppio gate Fin Field Effect Transistor ( FinFet ), la stessa sviluppata dall’Università di Berkeley e promossa, oltre che da TSMC, anche da AMD, IBM e HP.

Il chipmaker taiwanese sostiene che il suo è il primo transistor industriale CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) che funziona solo 0,7 volt, dimostrando così che la tecnologia CMOS, su cui oggi si basa la stragrande maggioranza dei chip sul mercato, potrà essere adottata ancora per parecchi anni, probabilmente fino all’avvento dei primi chip basati su materiali alternativi al silicio.

La versione della tecnologia FinFET di TSMC prende il nome di “Omega” per la forma – simile all’omonima lettera greca – della struttura di ciascun gate che compone il circuito. Il nuovo design, secondo TSMC, rende questo tipo di transistor più efficiente e in grado di consumare una frazione dell’energia rispetto a quelli tradizionali: caratteristiche, queste, che renderebbero la tecnologia Omega FinFET particolarmente adatta per le future generazioni di dispositivi mobili e di system-on-chip.

I transistor multigate, su cui sta lavorando anche Intel , sembrano rappresentare la soluzione più gettonata dai chipmaker per incrementare, nel prossimo futuro, la densità dei chip. Con un transistor delle dimensioni di quello costruito da TSMC sarebbe ad esempio possibile mettere circa un miliardo di transistor nello stesso spazio oggi occupato da poche centinaia di milioni.

TSMC prevede che i primi chip basati su transistor FinFET a 25 nm arrivino sul mercato a partire dal 2007, circa tre-quattro anni dopo l’introduzione sul mercato dei primi circuiti a 65 nanometri di Sony e Toshiba e dei primi processori di Intel e AMD basati sul di un processo di fabbricazione a 90 nm.

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12 12 2002
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