Sunnyvale (USA) – AMD ha annunciato di aver raggiunto per prima “importanti traguardi tecnologici” nello sviluppo di transistor di nuova generazione.
Nel corso di un progetto di laboratorio, i ricercatori di AMD hanno creato e sperimentato un transistor ad alte prestazioni la cui velocità, secondo il chipmaker, può superare anche del 30% quella dei migliori transistor P-MOS (P-channel Metal-Oxide Semiconductor) disponibili oggi sul mercato.
Il nuovo transistor sfrutta tecnologie proprietarie di AMD basate su Fully Depleted Silicon-on-Insulator. Quest’ultima tecnologia, che nella variante sviluppata da Intel prende il nome di Depleted Substrate Transistor, è simile alla tecnologia Silicon-on-Insulator (SOI) di IBM: utilizzando questa tecnica, un transistor viene costruito all’interno di uno strato sottilissimo di silicio posto su di uno strato di materiale isolante.
Avvalendosi della tecnologia metal gate, AMD sostiene poi di avere realizzato per prima un transistor in tecnologia Strained Silicon capace di raggiungere prestazioni del 20%-25% superiori rispetto a quelle dei componenti Strained Silicon convenzionali.
La tecnologia Strained Silicon, messa a punto da IBM, si basa su di un processo di “stiramento” della distanza fra gli atomi di silicio, una tecnica che consente di velocizzare il passaggio del flusso di elettroni all’interno dei transistor e incrementare così le prestazioni dei chip diminuendo, nell’egual tempo, il consumo di energia.
“Questi risultati – si legge su di un comunicato di AMD – rappresentano tappe essenziali lungo l’ambizioso percorso messo a punto da AMD, grazie al quale sarà possibile realizzare i microprocessori del futuro per rispondere alle esigenze della clientela”.
“Rimanendo all’avanguardia nel campo della ricerca sui transistor capaci di funzionare con prestazioni superiori e minori dispersioni di corrente e voltaggi operativi, possiamo fornire ai team di progettisti AMD i componenti basilari con cui possono realizzare le soluzioni richieste dai clienti”, ha dichiarato Craig Sander, vice president of Process Technology Development di AMD.
Il chipmaker sostiene che queste ultime innovazioni tecnologiche potranno giocare un ruolo essenziale nella produzione di semiconduttori nella seconda metà del decennio attuale. AMD pubblicherà per la prima volta i risultati completi della ricerca in occasione del VLSI Symposium organizzato a Kyoto l?11 e il 12 giugno.
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4 apr 2003