Dischi flash, presto il debutto di Toshiba

Il gigante dei notebook si appresta a fare il proprio ingresso nel fertile e giovane mercato dei dischi a stato solido, un settore dove presenterà una propria linea di device con capacità fino a 128 GB

Tokyo – La scorsa estate Toshiba ha presentato al mercato i suoi primi notebook dotati di dischi a stato solido (SSD), prodotti da un’azienda esterna. Ora il colosso giapponese ha intenzione di entrare in questo settore con tutto il proprio peso, progettando e producendo una propria linea di SSD dedicata ai notebook e ai dispositivi consumer.

L’annuncio riveste una certa importanza dal momento che Toshiba non solo è uno dei massimi costruttori al mondo di PC portatili, ma anche uno dei maggiori produttori di hard disk mobili: ciò potrebbe consentirle di influenzare il mercato degli SSD più di molte rivali.

Toshiba presenterà ufficialmente la propria linea di dischi flash in occasione del CES 2008 , in programma a Las Vegas il 7-10 gennaio, e ne inizierà la produzione in volumi a partire dal prossimo marzo .

Toshiba SSD da 128 GB I primi modelli di SSD prodotti dall’azienda giapponese avranno una capacità di 32, 64 e 128 GB , e un formato di 2,5 o 1,8 pollici . Tutti i drive utilizzeranno un’interfaccia standard SATA II, e potranno dunque essere impiegati in alternativa agli hard disk tradizionali senza la necessità, da parte dei produttori di notebook, di modificare i sistemi preesistenti. Toshiba produrrà i propri SSD anche sotto forma di moduli che possono essere saldati direttamente sulla scheda madre di un computer o adattati ad interfacce proprietarie.

Il produttore utilizzerà i suoi dischi flash all’interno dei propri notebook, ma li renderà disponibili anche alle terze parti : così facendo Toshiba si pone in diretta rivalità con giganti delle memorie flash come SanDisk e Samsung , entrambi già presenti da tempo sul mercato degli SSD.

I dischi a stato solido di Toshiba si baseranno su memorie NAND flash prodotte con una tecnologia multi-level cell a 56 nanometri, ed integreranno un controller di memoria. Le specifiche tecniche dichiarano una velocità di 100 MB al secondo in lettura e di 40 MB/s in scrittura , un milione di ore di MTTF (Mean Time to Failure), e capacità di operare a temperature comprese fra 0 e 70 gradi.

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