HP, memristore ai raggi X

Il colosso statunitense annuncia l'ennesimo progresso nello studio del funzionamento della nuova tecnologia che vorrebbe rivoluzionare l'elettronica digitale
Il colosso statunitense annuncia l'ennesimo progresso nello studio del funzionamento della nuova tecnologia che vorrebbe rivoluzionare l'elettronica digitale

Hewlett-Packard è da tempo fiduciosa sulle notevoli qualità del memristore come candidato ideale a rivoluzionare l’elettronica digitale di qui ai prossimi anni. Anche se in realtà i ricercatori non sanno come effettivamente funziona in dettaglio un memristore, o almeno non lo sapevano fino a poco tempo addietro.

Previsto – nel 2013 – al debutto commerciale come ReRAM grazie a una partnership tra HP e il produttore coreano Hynix Semiconductor , il memristore è stato recentemente passato ai raggi X dagli scienziati degli HP Labs e ha rivelato il “segreto” delle sue innovative qualità – incluse la capacità di variare la resistenza al variare della corrente e quella di ritenere l’ultimo stato energetico all’interruzione della corrente elettrica.

In uno studio pubblicato sulla rivista specializzata Nanotechnology , i ricercatori di HP hanno analizzato un canale di memristore “largo” 100 nanometri con un fascio di raggi X particolarmente concentrato: ha permesso loro di scoprire che il passaggio della corrente produce calore, e il calore muta il biossido di titanio che circonda il canale conduttivo in materiale non conduttivo .

“Con le informazioni individuate col presente studio – dice il ricercatore Stan Williams di HP – sappiamo poter realizzare memristori che possono essere utilizzati per uno storage multi-livello”. Invece di immagazzinare un singolo bit per volta, dice Williams, la nuova conoscenza acquisita sul funzionamento nanoscopico della tecnologia dei memristori permetterà ad HP di registrare ben 4 bit in una memoria a strato multiplo.

Anche il memristore sarà dunque tridimensionale come le future CPU a 22 nanometri di Intel, suggerisce Williams, fatto che dona al memristore l’ennesima qualità “rivoluzionaria” da spendere nella lotta prossima ventura – assieme alle RAM ferroelettriche (FeRAM) e quelle a variazione di fase (PCM) – per la conquista del nuovo mercato dell’elettronica di prossima generazione.

Alfonso Maruccia