HP, memristore ai raggi X

Hewlett-Packard è da tempo fiduciosa sulle notevoli qualità del memristore come candidato ideale a rivoluzionare l’elettronica digitale di qui ai prossimi anni. Anche se in realtà i ricercatori non sanno come effettivamente funziona in dettaglio un memristore, o almeno non lo sapevano fino a poco tempo addietro.

Previsto – nel 2013 – al debutto commerciale come ReRAM grazie a una partnership tra HP e il produttore coreano Hynix Semiconductor , il memristore è stato recentemente passato ai raggi X dagli scienziati degli HP Labs e ha rivelato il “segreto” delle sue innovative qualità – incluse la capacità di variare la resistenza al variare della corrente e quella di ritenere l’ultimo stato energetico all’interruzione della corrente elettrica.

In uno studio pubblicato sulla rivista specializzata Nanotechnology , i ricercatori di HP hanno analizzato un canale di memristore “largo” 100 nanometri con un fascio di raggi X particolarmente concentrato: ha permesso loro di scoprire che il passaggio della corrente produce calore, e il calore muta il biossido di titanio che circonda il canale conduttivo in materiale non conduttivo .

“Con le informazioni individuate col presente studio – dice il ricercatore Stan Williams di HP – sappiamo poter realizzare memristori che possono essere utilizzati per uno storage multi-livello”. Invece di immagazzinare un singolo bit per volta, dice Williams, la nuova conoscenza acquisita sul funzionamento nanoscopico della tecnologia dei memristori permetterà ad HP di registrare ben 4 bit in una memoria a strato multiplo.

Anche il memristore sarà dunque tridimensionale come le future CPU a 22 nanometri di Intel, suggerisce Williams, fatto che dona al memristore l’ennesima qualità “rivoluzionaria” da spendere nella lotta prossima ventura – assieme alle RAM ferroelettriche (FeRAM) e quelle a variazione di fase (PCM) – per la conquista del nuovo mercato dell’elettronica di prossima generazione.

Alfonso Maruccia