Le alternative alle memorie Flash sono molte, dalle PRAM alle MRAM per passare alle RRAM , ma quelle già pronte per misurarsi con il mercato sono pochissime. Tra queste vi sono le FeRAM (Ferroelectric RAM), memorie non volatili sbarcate sul mercato già da qualche anno ma ancora in fase di maturazione. L’ultimo grande passo avanti nello sviluppo della tecnologia FeRAM lo ha compiuto Toshiba , che lo scorso fine settimana ha annunciato la realizzazione di quello che definisce il chip FeRAM più denso e veloce mai prodotto fino ad oggi.
Il prototipo esibito da Toshiba ha una capacità di 128 megabit (16 MB) e una velocità di lettura e scrittura di 1,6 gigabyte al secondo: “La combinazione più avanzata di performance e densità che sia mai stata raggiunta” ha commentato il produttore. Informazioni più dettagliate sulla nuova memoria FeRAM verranno rilasciate questa settimana in occasione dell’ International Solid-State Circuits Conference ( ISSCC2009 ) di San Francisco, dove saranno peraltro presentati diversi altri tipi di memorie.
Il nuovo chip FeRAM, prodotto con una tecnologia a 130 nanometri, modifica l’architettura originaria chainFeRAM di Toshiba con una nuova tecnologia che previene la degradazione dei segnali delle celle, uno dei maggiori ostacoli alla progettazione di chip FeRAM più densi.
FeRAM è un tipo di memoria relativamente nuovo che, similmente a tecnologie come PRAM e MRAM, è in grado di combinare la velocità tipica delle memorie DRAM con la capacità di conservare le informazioni immagazzinate anche in assenza di corrente elettrica. Sebbene le FeRAM possano dunque essere utilizzate anche in alternativa alle memorie SRAM, specie nei dispositivi embedded, i vantaggi più evidenti sono dati dal confronto con le flash, rispetto alle quali consumano meno, forniscono performance drasticamente maggiori e sono in grado di sopportare un più elevato numero di cicli di scrittura/cancellazione.
Le FeRAM si trovano già in commercio, ma ad oggi non hanno ancora raggiunto significativi volumi di produzione: il motivo principale è legato alla scarsa densità di memoria dell’attuale generazione di chip e agli ancor elevati costi produttivi. Attualmente il maggior produttore di chip FeRAM è Ramtron , ma questo tipo di memoria è in sviluppo presso i laboratori di ricerca di molti altri produttori tra i quali Hynix Semiconductor, Texas Instruments, Fujitsu e, naturalmente, Toshiba.
In contemporanea all’annuncio di Toshiba, anche 4DS – sussidiaria statunitense della società australiana 4D-S – ha annunciato di aver raggiunto un nuovo traguardo nello sviluppo delle memorie RRAM, altra nota e promettente alternativa alle memorie flash. Kurt Pfluger, CEO di 4DS, ha detto che la propria azienda è pronta per iniziare la produzione di massa di chip di questo tipo.
Nel frattempo l’evoluzione delle memorie NAND flash non si è arrestata. Presso l’ISSCC2009, ad esempio, SanDisk e Toshiba presenteranno chip NAND MLC (Multi-Level Cell) da 3 e 4 bit per cella, contro i due bit per cella dell’attuale generazione di memorie MLC. La capacità di memorizzare una maggiore quantità di dati per singola cella consente ai produttori di abbattere il prezzo per gigabyte delle memorie flash, questo a sacrificio però delle performance.
Ti potrebbe interessare
