IBM e 3M per i mattoncini di silicio 3D

Roma – IBM e 3M hanno annunciato l’avvio di una partnership per lo sviluppo di “mattoni al silicio in 3D”, microchip in cui ogni strato di silicio contenente i transistor viene incollato sopra l’altro in una configurazione tridimensionale. I chip ne guadagnerebbero enormemente in potenza, promettono le due aziende, mentre la dissipazione del calore non sarebbe affatto un problema.

Lo speciale strato adesivo che 3M dovrà sviluppare, infatti, funzionerà anche da efficace dissipatore spingendo il calore in eccesso verso l’esterno del “mattoncino” di strati di silicio. La particolare configurazione di chip 3D pensata da IBM 3 3M permetterebbe di impilare l’uno sull’altro 100 diversi strati di transistor funzionanti , dando vita a chip mille volte più veloci di quelli attualmente presenti sul mercato.

Il chip 3D dell’accoppiata IBM-3M non è il primo microprocessore tridimensionale che si affaccia sul mondo tecnologico, e certamente non sembra il più evoluto: non è passato molto tempo da quando Intel ha annunciato l’arrivo della tecnologia tri-gate , una nuova configurazione di transistor a tre dimensioni capace di garantire aumenti prestazionali sensibili assieme a risparmi energetici altrettanto significativi.

Sia come sia, l’approccio di IBM e 3M è tutto fuorché basato sull’uso di materiale (nastro) adesivo per cui 3M va famosa: IBM paragona il processo di assemblaggio del nuovo chip 3D alla composizione di una torta “fetta dopo fetta”, con tanto di glassatura e copertura finale.

Alfonso Maruccia