IBM e AMD stirano le performance dei chip

I due chipmaker hanno messo a punto una nuova tecnologia per la produzione dei transistor che promette di spingere le prestazioni senza far lievitare i consumi. Sarà il cuore della prossima generazione di Opteron e Power
I due chipmaker hanno messo a punto una nuova tecnologia per la produzione dei transistor che promette di spingere le prestazioni senza far lievitare i consumi. Sarà il cuore della prossima generazione di Opteron e Power


East Fishkill (USA) – Con l’avvicinarsi del momento in cui la produzione dei chip in silicio si scontrerà contro limiti tecnici considerati invalicabili, i maggiori protagonisti del settore stanno cercando di spremere dalle attuali tecnologie tutto ciò che queste hanno ancora da offrire. Per far questo IBM e AMD puntano ora su di una versione migliorata della tecnologia strained silicon , detta Dual Stress Liner (DSL).

Secondo le due partner, che hanno collaborato allo sviluppo di DSL insieme a ingegneri di Sony e Toshiba , la nuova tecnologia è in grado di migliorare la velocità dei transitor fino al 24%, questo lasciando inalterato il consumo energetico dei chip. Per Big Blue e compagni ciò si traduce nella possibilità di fabbricare processori a 90 nanometri che, a parità di consumi con i modelli già sul mercato, potranno fornire un sensibile incremento di performance.

IBM ha spiegato che DSL riduce i costi della tecnologia strained silicon e ne semplifica l’integrazione con quella silicon-on-insulator (SOI), un connubio destinato a dominare tutte le future generazioni di processori prodotti dal colosso di Armonk e da AMD. La prima, in particolare, adotterà DSL in alcuni nuovi modelli di chip Power previsti per la prima metà del prossimo anno, mentre AMD la implementerà, a partire dallo stesso periodo, in tutti gli Opteron a 90 nm e, in futuro, nei processori dual-core.

Sebbene IBM non ne abbia fatto cenno, la collaborazione di Sony e Toshiba lascia presupporre che la tecnologia DSL verrà impiegata anche per la produzione dei processori Cell , gli stessi che equipaggeranno la PlayStation di terza generazione.

“Il nuovo processo strained silicon DSL migliora le performance di entrambi i tipi di transistor semiconduttori, chiamati n-channel e p-channel, stirando gli atomi di silicio nei primi e comprimendoli nei secondi”, ha spiegato IBM in un comunicato. “Questa nuova tecnica funziona senza l’introduzione di nuove, difficoltose e costose tecniche di produzione, rendendola così adatta a poter essere rapidamente integrata nelle attuali catene di produzione”.

“Siamo riusciti a fare dei passi avanti, ma lo abbiamo fatto innovando a partire dai materiali convenzionali”, ha aggiunto Nick Kepler, vice presidente per lo sviluppo tecnologico di AMD.

Maggiori dettagli su DSL e le sue implementazioni verranno fornite da IBM durante l’IEEE International Electron Devices Meeting che si terrà in questi giorni a San Francisco.

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13 12 2004
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