IBM svela il transistor da 210 GHz

Armonk (USA) – La sfida per aumentare le prestazioni dei chip utilizzando tecnologie più o meno standard si sta facendo sempre più serrata. In prima linea Intel e IBM che, proprio recentemente , hanno mostrato due nuove tecnologie per la futura produzione di transistor.

Big Blue ora annuncia di aver creato quello che lei stessa definisce il transistor a base di silicio più veloce al mondo, capace di funzionare a frequenze di 210 GHz con circa la metà della corrente elettrica oggi necessaria.

Questo nuovo traguardo è stato raggiunto migliorando ulteriormente la tecnologia produttiva dei chip basata su silicon-germanium (SiGe), un materiale composto da molecole di silicio e di germanio che IBM utilizza ormai da 10 anni e che oggi permette di costruire transistor sottili circa un centinaio di atomi.

Poche settimane fa fu Intel ad annunciare di aver prodotto il transistor più veloce al mondo, prodotto con una tecnologia a 0,03 micron ed in grado di aprire la strada a processori per PC da 20 GHz ed oltre.

Secondo gli esperti, il transistor prodotto da IBM non è però direttamente comparabile con quello di Intel, visto che si tratta di chip di tipo differente pensati per device differenti. Con la sua tecnologia SiGe, Big Blue infatti non punta al mondo delle CPU per PC ma a quello dei chip che equipaggiano le network appliance ed i dispositivi mobili, come PDA e telefoni cellulari.

IBM sostiene che il suo nuovo transistor potrà dar vita a chip molto piccoli ed a bassissimo consumo adatti a “motorizzare” la prossima generazione di sistemi di comunicazione wireless 2,5G e 3G.