L’ennesima scoperta fatta “per caso” potrebbe rappresentare un’autentica rivoluzione per i destini tecnologici e commerciali dei memristori – e questo prima ancora che siffatta, innovativa tecnologia approdi sul mercato.
Autori della nuova scoperta, i ricercatori dello University College London, impegnati a sperimentare con l’ossido di silicio per la realizzazione di apparati LED: quelli che a una prima occhiata sembravano circuiti elettronicamente instabili, a un’analisi più approfondita si sono rivelati essere filamenti di ossido di silicio con la capacità di passare tra vari stati conduttivi e non-conduttivi in maniera prevedibile.
Tra le applicazioni della scoperta dall’università londinese vi è appunto la possibilità di realizzare memristori, vale a dire chip di memoria (resistori con effetto memoria) studiati da HP e in dirittura d’arrivo sul mercato (sempre a opera di HP in partnership con Hynix) con il nome commerciale di ReRAM .
I chip ReRAM sono presumibilmente destinati a spazzare via la limitata tecnologia delle NAND Flash come sistema di storage a stato solido, e la possibilità (paventata dalla UCL) di produrre fisicamente tali chip adattando i tradizionali processi produttivi del silicio non fa che rafforzare la validità di questa previsione.
Alfonso Maruccia
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22 mag 2012