La corsa costante alla miniaturizzazione selvaggia di transistor e microchip si arricchisce di due novità, entrambe potenzialmente in grado di donare nuova linfa vitale al moderno mondo tecnologico basato sul silicio. La Rice University promette il raggiungimento dei cinque nanometri entro 5 anni , mentre HP torna a parlare di memristori. Scettici, nel primo caso, giganti del settore quali IBM e Intel.
I transistor a cinque nanometri che l’università texana dice di poter realizzare entro il 2015 – dunque prima della fine del decennio come tempo stimato dai produttori di chip per il raggiungimento del traguardo – sono basati su tecniche di produzione tradizionali e sfruttano l’ossido di silicio come elemento costituente di base.
I ricercatori della Rice annunciano la realizzazione di un chip prototipo da parte della società texana PrivaTran , un prototipo basato sullo studio sull’ossido di silicio e che è in grado di immagazzinare appena 1.000 bit di informazione. Qualora il metodo risultasse scalabile con successo, dicono i ricercatori, si potrebbero raggiungere capacità di storage a stato solido pari a quelle degli attuali hard disk più capienti (2,5-3 Terabyte) entro cinque anni.
Gli scienziati di Rice sono poi coinvolti nella ricerca di HP sui memristori , il “Santo Graal” dell’elettronica che promette di dare un notevole colpo di acceleratore al percorso evolutivo al settore. HP ha recentemente annunciato di essere entrata in partnership con un non meglio specificato produttore di microchip per quella che dovrebbe essere la prima produzione commerciale di una tecnologia informatica a base di memristore.
E se sulle capacità dei memristori il parere dell’industria è concorde, non altrettanto positivo è quello sulla tecnologia a base di ossido di silicio su cui lavorano presso la Rice University. Colossi come Intel e IBM sono scettici sulle possibili applicazioni pratiche di un materiale sin qui noto per avere proprietà isolanti, dicono di averci già lavorato in passato senza aver raggiunto risultati significativi .
Alfonso Maruccia
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