Samsung annuncia flash da 20nm

Il colosso coreano ha consegnato i primi campioni di chip NAND prodotti con una tecnologia di processo classe 20 nanometri. Chip che verranno utilizzati per produrre, tra le altre cose, schede SD con capacità fino a 64 GB
Il colosso coreano ha consegnato i primi campioni di chip NAND prodotti con una tecnologia di processo classe 20 nanometri. Chip che verranno utilizzati per produrre, tra le altre cose, schede SD con capacità fino a 64 GB

Samsung ha annunciato l’avvio della produzione, seppure in quantità limitate, di quelle che definisce le prime memorie “classe 20 nanometri” dell’industria. Tali chip saranno utilizzati nelle memory card SD e nelle memorie flash integrate in smartphone, player MP3 e altri dispositivi.

Sebbene la quasi totalità dei media abbia interpretato la frase “classe 20 nanometri” come il fatto che i nuovi chip siano effettivamente prodotti con una tecnologia di processo a 20 nm, EETimes.com ha messo in dubbio tale interpretazione: l’autorevole sito americano ritiene infatti che, con il termine “classe”, Samsung si sia limitata a indicare che i circuiti utilizzati nei suoi chip hanno una dimensione compresa tra 20 e 29 nm. Secondo certi analisti la dimensione esatta dei circuiti sarebbe di 27 nm, contro i 24 e i 25 nm già annunciati rispettivamente da SanDisk/Toshiba e Intel/Micron (IMFT).

Oltre a ciò EETimes fa notare come Intel e Micron abbiano già avviato la produzione dei loro chip a 25 nm, mentre SanDisk/Toshiba e Samsung prevedano di iniziare la fabbricazione in massa dei rispettivi chip di nuova generazione nella seconda parte dell’anno (quest’ultima parla espressamente di “tardo 2010”).

La precedente generazione di chip NAND flash del gigante coreano viene prodotta con una tecnologia di processo a 30 nanometri. Come noto, al diminuire della dimensione dei transistor crescono le rese produttive per singolo wafer di silicio e diminuiscono i costi di produzione. Chip più densi consentono inoltre di stipare più memoria nello stesso spazio, caratteristica fondamentale nell’evoluzione dei dispositivi mobili.

Le nuove memorie NAND flash di Samsung sono di tipo multi-level cell (MLC), capaci di memorizzare 2 bit di informazione per singola cella, e hanno una capacità di 32 Gbit per singolo chip: l’azienda prevede che verranno utilizzate in schede SD con capacità compresa fra 4 e 64 GB.

Con lo sviluppo di chip NAND flash di classe 20nm l’azienda asiatica afferma di aver migliorato anche le performance delle sue memorie, capaci di sostenere transfer rate fino a 10 MB/s in scrittura e 20 MB/s in lettura. Le schede SD basate su tali chip potranno dunque fregiarsi della classe di velocità 10 , la più elevata attualmente prevista dallo standard Secure Digital.

Il produttore coreano ha già iniziato a consegnare campioni dei suoi nuovi chip ai produttori di device, e ha in piano di avviarne la produzione in volumi verso la fine dell’anno.

Alessandro Del Rosso

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