Una sola memoria universale?

Un rivoluzionario mix tra memoria volatile e non volatile, che forza i transistor ad effetto di campo
Un rivoluzionario mix tra memoria volatile e non volatile, che forza i transistor ad effetto di campo

L’Università della Carolina del Nord sta lavorando da tempo ad una proposta che potrebbe rivoluzionare il concetto stesso di memoria. Attualmente, esiste una netta distinzione tra memoria di tipo volatile e non volatile. La prima scatta all’istante ma non è in grado di conservare le informazioni se manca l’alimentazione, mentre la seconda può archiviare i dati in maniera permanente scendendo a patti con la velocità d’esecuzione.

La soluzione ideata dal gruppo di ricercatori statunitense punta ad eliminare questi compromessi, con una tecnologia veloce quanto la DRAM ma densa quanto quella delle memorie Flash allo stato solido. A chi non piacerebbe avviare il sistema operativo con uno schiocco di dita?

Il promettente sistema utilizza transistor a effetto di campo (FET) con doppio floating-gate, per gestire i due diversi tipi di archiviazione dati, risultando di fatto universale. Attualmente resta ancora da testarne l’affidabilità, per assicurarsi che la “doppia memoria” non perda colpi dopo diversi cicli di lettura/scrittura. Una relazione dettagliata verrà comunque pubblicata a breve, sulla rivista IEEE Computer.

Oltre ad aumentare la velocità, questo tipo di soluzione potrebbe far risparmiare anche energia. A quanto pare, il computer che monterà il transistor a effetto di campo con doppio floating-gate potrà togliere il piede dall’acceleratore, passare i dati temporanei al secondo gate e mettere momentaneamente in pausa la memoria volatile. Le informazioni potranno essere recuperate immediatamente appena c’è bisogno di riprendere l’attività.

Roberto Pulito

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25 01 2011
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