San Francisco (USA) – L’alternativa alle memorie flash, oggi utilizzate su moltissimi dispositivi elettronici di consumo, potrebbe essere più vicina del previsto. A San Francisco, IBM , Macronix e Qimonda hanno infatti annunciato il raggiungimento di una tappa molto importante nello sviluppo delle memorie phase-change RAM (PRAM), descritte da più parti come la più promettente tecnologia di memoria non volatile.
La tecnologia PRAM sfrutta il fatto che alcuni materiali, cosiddetti calcogenuri, possono essere fatti passare da uno stato amorfo ad uno cristallino riscaldando opportunamente il materiale: ad ogni cambiamento di stato, misurabile ad esempio con un laser, un computer può associare un “1” o uno “0”. Rispetto alle memorie RAM, che memorizzano le informazioni utilizzando cariche elettriche, le memorie PRAM hanno il vantaggio di poter conservare il loro stato, e quindi i bit memorizzati, anche in assenza di elettricità. In questo somigliano alle memorie flash, e infatti uno dei primi ambiti applicativi della tecnologia PRAM potrebbe proprio essere quello dei dispositivi mobili.
Rispetto alle flash, le memorie PRAM promettono prestazioni migliori – con tempi di lettura e scrittura più brevi -, una maggiore affidabilità nel tempo, dimensioni più piccole, e la possibilità di eseguire delle operazioni di scrittura su indirizzi singoli della memoria. Queste stesse caratteristiche potrebbero in futuro renderle competitive anche nei confronti delle memorie DRAM , oggi impiegate sulla quasi totalità dei computer.
IBM ha ora mostrato un prototipo di PRAM che commuta 500 volte più velocemente di una memoria flash utilizzando meno della metà dell’energia per scrivere le informazioni in una cella. La sezione trasversale del dispositivo ha dimensioni di 3 x 20 nanometri, “dunque molto più piccola – sostiene Big Blue – delle flash che possono essere prodotte al giorno d’oggi”. “Questo nuovo risultato mostra che, al contrario della flash, la tecnologia di memoria phase-change può migliorare al diminuire delle dimensioni”, afferma IBM.
Il nuovo materiale con cui è stato costruito il prototipo è un semiconduttore formato da una lega germanio-antimonio (GeSb), ed è il risultato di una ricerca condotta dal Centro di Ricerca IBM Almaden a San Jose, in California.
“La conservazione dei dati di tipo non volatile sarebbe un grande vantaggio anche nei computer tradizionali, oltre che nei dispositivi portatili, ma la scrittura dei dati su una memoria flash è migliaia di volte più lenta rispetto ad una DRAM o una SRAM”, ha spiegato IBM. “Inoltre, le celle di una memoria flash sono soggette a degrado e diventano inaffidabili dopo circa 100mila operazioni di sovrascrittura. Ciò non rappresenta un problema per l’utilizzo da parte della maggior parte degli utenti, ma costituisce comunque un altro grosso ostacolo all’uso in applicazioni che richiedono una frequente sovrascrittura, quali ad esempio le memorie principali dei computer o le memorie buffer dei dispositivi di rete e di archiviazione dei dati”.
Tutti problemi, quelli su esposti, che Big Blue e diversi altri produttori ritengono di poter risolvere brillantemente con la tecnologia phase-change. Tecnologia che, dal punto di vista concettuale, risale fra l’altro ad almeno 30 anni fa.
Alle PRAM stanno lavorando da anni anche altri colossi, tra cui Intel, STMicroelectronics, Philips, Toshiba, Hitachi e Samsung. Quest’ultima ha svelato un prototipo di PRAM lo scorso settembre ed ha previsto la commercializzazione di tali memorie già a partire dal 2008. Il produttore coreano è particolarmente interessato alla tecnologia phase-change per la futura generazione di hard disk ibridi .
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13 dic 2006