Intel: chip con mille miliardi di transistor nel 2030

Intel ha illustrato i risultati ottenuti finora che permetteranno di rispettare la legge di Moore e di realizzare processori con 1.000 miliardi di transistor entro il 2030. I progressi nella ricerca sono stati mostrati durante l’IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) per celebrare i 75 anni del transistor.

Verso il trilione di transistor

Il Components Research Group di Intel ha sviluppato molte tecnologie negli ultimi 20 anni, tra cui strained silicon, gate metallico Hi-K e FinFET. La roadmap attuale prevede altre importanti innovazioni, come RibbonFET gate-all-around (GAA) e alimentazione PowerVia, oltre ai progressi nel packaging, come EMIB e Foveros Direct. Durante il meeting sono state illustrate quattro novità che consentiranno di raggiungere i 1.000 miliardi di transistor su singolo package.

La nuova tecnologia di packaging 3D hybrid bonding per l’integrazione dei chiplet offre un miglioramento fino a 10 volte della densità rispetto alle connessioni presenti nei chip monolitici. Nuovi materiali 2D con spessore di 3 atomi permettono invece di realizzare nanosheet impilati gate-all-around con elevate velocità di switching a temperatura ambiente e bassa dispersione di corrente.

Intel ha infine mostrato le prime memorie FeRAM con condensatori ferroelettrici che possono essere posizionati verticalmente sopra i transistor. L’azienda californiana ha illustrato anche i progressi fatti nell’efficienza energetica con wafer GaN-on-silicon da 300 millimetri e transistor che conservano i dati anche in assenza di alimentazione.