Intel svela la nuova roadmap, senza nanometri

Come anticipato la scorsa settimana, il CEO Pat Gelsinger ha svelato la nuova roadmap per i processori Intel fino al 2025, insieme alle nuove tecnologie che verranno utilizzate per il packaging. A sorpresa, l’azienda californiana ha deciso di abbandonare la nomenclatura basata sui nanometri che finora ha indicato la dimensione dei transistor.

Intel 7, 4, 3, 20A e 18A

Dal 1997 ad oggi, il miglioramento del processo produttivo è stato indicato con la lunghezza del gate dei transistor. In seguito al passaggio alle strutture 3D, il numero non corrisponde più alle effettive dimensioni. Infatti i 10 nanometri di Intel sono “equivalenti” ai 7 nanometri di TSMC. L’azienda di Santa Clara ha quindi deciso di utilizzare una nomenclatura che tiene conto di vari parametri, tra cui prestazioni, consumi e densità.

• Intel 7 (2021): precedentemente noto come 10nm Enhanced SuperFin, questo processo incrementerà le prestazioni per Watt fino al 15% rispetto al precedente 10nm SuperFin. Intel 7 verrà utilizzato per i processori Alder Lake e Sapphire Rapids.
• Intel 4 (2022): precedentemente noto come Intel 7nm, questo processo incrementerà le prestazioni per Watt fino al 20% rispetto a Intel 7, sfruttando la litografia EUV. Verrà utilizzato per i processori Meteor Lake e Granite Rapids.
• Intel 3 (2023): precedentemente noto come Intel 7nm+, questo processo incrementerà le prestazioni per Watt fino al 18% rispetto a Intel 4.
• Intel 20A (2024): precedentemente noto come Intel 5nm, questo processo sarà il primo ad utilizzare i transistor RibbonFET (implementazione Intel dell’architettura Gate-All-Around) e la tecnologia PowerVia che consentirà di fornire l’alimentazione dal retro dei transistor.
• Intel 18A (2025): seconda generazione dei transistor RibbonFET con litografia High NA EUV.

La tecnologia di processo Intel 20A con transistor RibbonFET e PowerVia verrà utilizzata anche da Qualcomm per i suoi Snapdragon.

Intel ha svelato inoltre la roadmap per le tecnologie di packaging. EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge), introdotta nel 2017, verrà utilizzata per i processori Sapphire Rapids. Foveros, introdotta con i processori ibridi Lakefield, verrà usata anche per i processori Meteor Lake. Le successive generazioni saranno Foveros Omni e Foveros Direct.

Questa tabella, pubblicata da AnandTech, riassume tutte le novità in arrivo: