Intel svela la nuova roadmap, senza nanometri

Intel svela la nuova roadmap, senza nanometri

Il CEO di Intel, Pat Gelsinger, ha svelato la roadmap dei processori, introducendo una nuova nomenclatura non più basata sui nanometri.
Il CEO di Intel, Pat Gelsinger, ha svelato la roadmap dei processori, introducendo una nuova nomenclatura non più basata sui nanometri.

Come anticipato la scorsa settimana, il CEO Pat Gelsinger ha svelato la nuova roadmap per i processori Intel fino al 2025, insieme alle nuove tecnologie che verranno utilizzate per il packaging. A sorpresa, l'azienda californiana ha deciso di abbandonare la nomenclatura basata sui nanometri che finora ha indicato la dimensione dei transistor.

Intel 7, 4, 3, 20A e 18A

Dal 1997 ad oggi, il miglioramento del processo produttivo è stato indicato con la lunghezza del gate dei transistor. In seguito al passaggio alle strutture 3D, il numero non corrisponde più alle effettive dimensioni. Infatti i 10 nanometri di Intel sono “equivalenti” ai 7 nanometri di TSMC. L'azienda di Santa Clara ha quindi deciso di utilizzare una nomenclatura che tiene conto di vari parametri, tra cui prestazioni, consumi e densità.

  • Intel 7 (2021): precedentemente noto come 10nm Enhanced SuperFin, questo processo incrementerà le prestazioni per Watt fino al 15% rispetto al precedente 10nm SuperFin. Intel 7 verrà utilizzato per i processori Alder Lake e Sapphire Rapids.
  • Intel 4 (2022): precedentemente noto come Intel 7nm, questo processo incrementerà le prestazioni per Watt fino al 20% rispetto a Intel 7, sfruttando la litografia EUV. Verrà utilizzato per i processori Meteor Lake e Granite Rapids.
  • Intel 3 (2023): precedentemente noto come Intel 7nm+, questo processo incrementerà le prestazioni per Watt fino al 18% rispetto a Intel 4.
  • Intel 20A (2024): precedentemente noto come Intel 5nm, questo processo sarà il primo ad utilizzare i transistor RibbonFET (implementazione Intel dell'architettura Gate-All-Around) e la tecnologia PowerVia che consentirà di fornire l'alimentazione dal retro dei transistor.
  • Intel 18A (2025): seconda generazione dei transistor RibbonFET con litografia High NA EUV.

La tecnologia di processo Intel 20A con transistor RibbonFET e PowerVia verrà utilizzata anche da Qualcomm per i suoi Snapdragon.

Intel ha svelato inoltre la roadmap per le tecnologie di packaging. EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge), introdotta nel 2017, verrà utilizzata per i processori Sapphire Rapids. Foveros, introdotta con i processori ibridi Lakefield, verrà usata anche per i processori Meteor Lake. Le successive generazioni saranno Foveros Omni e Foveros Direct.

Questa tabella, pubblicata da AnandTech, riassume tutte le novità in arrivo:

Intel roadmap

Fonte: Intel
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27 07 2021
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