ULTRARAM, la produzione su larga scala si avvicina

ULTRARAM, la produzione su larga scala si avvicina

Alla Lancaster University hanno realizzato le prime soluzioni su substrati di silicio di ULTRARAM, la produzione mainstream si avvicina.
Alla Lancaster University hanno realizzato le prime soluzioni su substrati di silicio di ULTRARAM, la produzione mainstream si avvicina.

L'idea di combinare RAM e storage in un unico componente esiste ormai da un bel po' di tempo a questa parte, ma sino a questo momento non si trattava ancora di un una realtà effettivamente tangibile. I recenti passi in avanti fatti dagli scienziati del dipartimento di fisica e di ingegneria della Lancaster University nel Regno Unito potrebbero però andare a segnare una cruciale svolta in tal senso.

ULTRARAM: realizzate le prime soluzioni su substrati di silicio

Il progetto, infatti, ha compiuto un ulteriore passo fondamentale verso la produzione a basso costo e ad alto volume con la realizzazione delle prime soluzioni su substrati di silicio, come riportato nel relativo studio.

Manus Hayne, professore del dipartimento di fisica della Lancaster University, ha spiegato che questo step da poco raggiunto è importantissimo poiché supera le sfide materiali molto significative del grande disadattamento del reticolo cristallino, il passaggio da semiconduttore elementare e semiconduttore composto e differenze nella contrazione termica.

L'ULTRARAM è potenzialmente in grado di assicurare prestazioni della DRAM, andando ad offrire un'efficienza 100 volte superiore e garantendo la non volatilità che è tipica della NAND, con le informazioni che rimangono archiviate pure in assenza di energia. Per fare ciò, vengono usate proprietà uniche dei semiconduttori composti, comunemente impiegati nei dispositivi fotonici, ma non nell'elettronica digitale, che è ad appannaggio del silicio.

Più precisamente il funzionamento dell'ULTRARAM si deve a un effetto di meccanica quantistica denominato “resonant tunnelling”, il quale consente a una barriera di passare da opaca a trasparente applicando una piccola tensione. Un altro elemento importante dalla ULTRARAM è la sua struttura Floating Gate, che ritroviamo nelle memorie NAND flash e che permette di mantenere la carica elettrica per lungo tempo.

Qualora la produzione dell'ULTRARAM dovesse diventare effettivamente mainstream, invece di acquistare separatamente stick di RAM ed SSD o HDD potremmo semplicemente andare a comprare un unico componente con una certa quantità di spazio di archiviazione capace di soddisfare entrambe queste esigenze per qualsiasi PC.

Link copiato negli appunti

Ti potrebbe interessare

12 01 2022
Link copiato negli appunti