Samsung ha annunciato un nuovo record di velocità per le memorie. Il produttore coreano ha realizzato DRAM LPDDR5X che raggiungono una velocità di 8,5 Gbps. Nel comunicato stampa viene sottolineato che queste memorie hanno ricevuto la validazione per le piattaforme Snapdragon di Qualcomm. Ciò significa che verranno quasi certamente utilizzate nei prossimi smartphone della serie Galaxy S23. A tale proposito sono emerse online le possibili specifiche del modello base.
Memorie LPDDR5X a 8,5 Gbps per i Galaxy S23
Il precedente record, sempre di Samsung, era stato ottenuto a marzo con 7,5 Gbps. Viene quindi riaffermata la leadership del produttore nel mercato delle memorie da oltre 10 anni. Le RAM LPDDR (Low-Power Double Data Rate) offrono prestazioni elevate e bassi consumi, quindi possono essere utilizzate in ogni sistema di calcolo moderno. Non solo smartphone e PC, ma anche server HPC e automobili.
Le nuove memorie LPDDR5X da 8,5 Gbps troveranno posto nei data center (dove contribuiranno a ridurre le emissioni di CO2) e nei futuri veicoli a guida autonoma che necessitano di elaborare grandi quantità di dati in poco tempo. Samsung offrirà inoltre le nuove RAM alle aziende che operano in settori emergenti, come intelligenza artificiale e metaverso.
Grazie alla validazione per le piattaforme Snapdragon, le LPDDR5X possono essere abbinate ai SoC di Qualcomm. Sembra ovvio quindi l’uso delle memorie nei prossimi smartphone di fascia alta. In base alle ultime indiscrezioni, il Galaxy S23 integrerà 8 GB di RAM e il processore Snapdragon 8 Gen 2.
Altre possibili specifiche sono: schermo Dynamic AMOLED 2X da 6,1 pollici con risoluzione full HD+ e refresh rate di 120 Hz, 128/256 GB di storage, fotocamera frontale da 10 megapixel, fotocamere posteriori da 50, 12 e 10 megapixel, batteria da 3.900 mAh con ricarica rapida da 25 Watt (wireless da 15 Watt).
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20 ott 2022