Micron annuncia le DRAM più avanzate del mondo

Microsoft ha avviato la produzione di massa delle prime DRAM basate sul nodo 1α che sfrutta una nuova tecnica di fotolitografia.
Microsoft ha avviato la produzione di massa delle prime DRAM basate sul nodo 1α che sfrutta una nuova tecnica di fotolitografia.

Micron Technology ha annunciato l’avvio della produzione di massa delle prime DRAM al mondo realizzate con la tecnologia 1α (1-alpha). Questo notevole traguardo raggiunto dall’azienda statunitense permetterà di incrementare la densità e le prestazioni, riducendo allo stesso tempo i consumi.

Micron DRAM con nodo 1α

La miniaturizzazione dei chip di memoria RAM dinamica non può seguire lo stesso ritmo dei processori per una serie di motivi. Il primo vincolo è dato dalla dimensione della singola cella formata da un transistor e da un condensatore. Quest’ultimo non può essere troppo piccolo altrimenti non è in grado di conservare il valore del bit. Il secondo vincolo è dato dalla fotolitografia, il processo di fabbricazione dei semiconduttori che permette di ricavare i chip da un wafer di silicio.

Micron DRAM

Micron ha superato quest’ultimo ostacolo, utilizzando una tecnica nota come “multiple patterning” e descritta in dettaglio sul blog ufficiale del produttore. Mentre i concorrenti sono fermi al nodo 1z, Micron ha usato il nodo 1α.

Il nome del nodo corrisponde al cosiddetto “half-pitch”, ovvero la metà della distanza tra le celle di memoria. Con il nodo 1α, il valore è inferiore a 11 nanometri. La nuova DRAM sarà disponibile con chip da 8 e 16 Gb che consumano il 15% in meno della precedente generazione 1z. L’incremento di densità è invece del 40%.

Micron inizierà è produrre DRAM DDR4 e LPDDR4, ma è già pronta per le future LPDDR5. L’arrivo sul mercato è previsto nei prossimi mesi.

Fonte: Micron
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30 01 2021
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