Ennesima cura dimagrante per le unità a stato solido. SanDisk e Toshiba hanno appena sfornato una nuova piccolissima memoria NAND , realizzata con processo produttivo a 19 nanometri, che batte il primato dei chip Intel-Micron a 20nm, presentati lo scorso dicembre.
Con questa impressionante corsa alla miniaturizzazione, i chipmaker non guardano soltanto alle esigenze dei dispositivi tascabili, come smartphone e lettori di MP3, ma possono applicare il concetto di stato solido anche ai vari accessori che archiviano dati, come le schede di memoria e le pendrive.
Anche in questo caso parliamo di una NAND multi-level cell (MLC) a 128Gb, che si concede il lusso di aumentare la densità di memorizzazione disponibile, pur occupando una superficie di soli 170 millimetri quadrati. Nell’aprile del 2011 i due produttori presentarono una soluzione da 64 Gb, sempre realizzata con processo a 19 nanometri.
Questa nuova versione del chip lavora sempre con la nota modalità X3: può leggere e scrivere tre bit d’informazioni in ogni singola cella di memoria e può garantire una velocità di trasferimento dati sequenziale pari a 18MB/s, per quanto riguarda la scrittura. La produzione di massa è già stata avviata.
Roberto Pulito
Ti potrebbe interessare
24 feb 2012