Samsung moltiplica la capacità delle flash

Il colosso coreano ha sviluppato i mattoni con cui costruirà, nel prossimo futuro, schede di memoria flash con capacità fino a 64 GB e con dimensioni inferiori a un francobollo
Il colosso coreano ha sviluppato i mattoni con cui costruirà, nel prossimo futuro, schede di memoria flash con capacità fino a 64 GB e con dimensioni inferiori a un francobollo

Seoul (Corea del Sud) – L’incessante evoluzione tecnologica che sta interessando le memorie non volatili, ed in special modo quelle flash, ha come sua nuova pietra miliare la messa a punto di chip NAND flash con circuiti da 40 nanometri e densità di memorizzazione pari a 32 Gigabit (4 Gigabyte).

Il nuovo traguardo è stato annunciato da Samsung , che si è avvalsa per la prima volta di una nuova architettura , denominata Charge Trap Flash (CTF), in grado di migliorare sia le performance che l’affidabilità delle memorie flash. Il colosso sostiene che la tecnologia CTF semplifica anche la produzione dei chip, riducendo i costi e massimizzando la resa, e prepara la strada a processi di fabbricazione da 30 e 20 nm (che spingeranno la densità a 256 Gbit).

Memorie flash Samsung Samsung prevede di utilizzare i chip NAND flash da 32 Gbit per la creazione di schede di memoria con capacità fino a 64 GB (16 chip), sufficiente per archiviare fino a 40 film DVD e oltre 16.000 canzoni MP3.

La costante crescita della densità dei chip flash è importante non solo per l’evoluzione dei dispositivi mobili, ma soprattutto per l’affermazione sul mercato dei dischi a stato solido: uno dei primissimi modelli è stato lanciato proprio da Samsung lo scorso maggio e si trova già all’interno di alcuni Ultra-Mobile PC e notebook.

Il chipmaker di Seoul non ha ancora rivelato la data di commercializzazione delle nuove memorie, ma questa potrebbe non avvenire prima di 12-18 mesi. C’è infatti da considerare che la produzione in volumi di NAND flash da 70 nm (8 Gbit) è iniziata lo scorso luglio , e prima di passare alla produzione di chip da 40 nm vi sono due step intermedi. La tecnologia di processo a 60 nm viene per il momento impiegata da Samsung solo per la produzione di un particolare tipo di chip flash, chiamato OneNAND , che combina alcuni degli aspetti dell’architettura di memoria NAND con quelli della NOR.

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11 09 2006
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