Il Dipartimento del Commercio degli Stati Uniti ha concesso a Samsung e SK hynix una licenza annuale per l’esportazione in Cina delle apparecchiature necessarie alla produzione di chip. Il governo locale ha tuttavia introdotto una specifica limitazione per ottenere l’autorizzazione. Nel frattempo, SK hynix ha comunicato che realizzerà il primo impianto per HBM negli USA.
Samsung e SK hynix produrranno anche in Cina
Insieme a Micron, Samsung e SK hynix sono i principali produttori mondiali di chip per DRAM e SSD. Le due aziende coreane (e TSMC) avevano ricevuto un’esenzione dal Dipartimento del Commercio per poter esportare in Cina le apparecchiature necessarie alla produzione di chip basate su tecnologie statunitensi. Questo privilegio scadeva oggi.
Circa 24 ore prima, Samsung e SK hynix hanno ottenuto la licenza di esportazione per il 2026. Le licenze annuali permettono al governo statunitense di modificare le condizioni in caso di vari fattori esterni, tra cui eventuali guerre commerciali. Le due aziende possono comunque incrementare la produzione di DRAM e NAND per soddisfare la domanda e forse contribuire a ridurre i prezzi.
Samsung e SK hynix dovranno però rispettare un obbligo preciso. Il governo cinese autorizzerà la costruzione di nuove fabbriche o l’espansione di quelle esistenti solo se le aziende utilizzeranno almeno il 50% delle apparecchiature di fornitori locali. Questo requisito verrà applicato più rigidamente alle linee di produzione per chip basati su tecnologie mature. Per i chip più avanzati ci sarà una maggiore flessibilità in quanto mancano apparecchiature adatte.
L’incremento dei prezzi delle RAM è stato causato dall’elevata domanda di HBM (High Bandwidth Memory), un tipo di memoria utilizzato nei data center AI. SK hynix costruirà quindi la prima fabbrica per HBM negli Stati Uniti, precisamente a West Lafayette (Indiana). Una parte del costo (circa 3,9 miliardi di dollari) verrà coperto dai sussidi del CHIPS and Science Act. L’impianto entrerà in funzione nel 2028.
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31 dic 2025