IBM e Samsung lo presentano come un concept rivoluzionario in grado di raggiungere obiettivi ambiziosi grazie ad una architettura alternativa rispetto a quelle odierne. Il suo nome è VTFET e, secondo quanto annunciato dai due gruppi, può mettere sul piatto tanto performance migliorative (2x), quanto consumi energetici abbattuti ben dell’85%.
VTFET
La novità consta in una architettura a transistor verticale: “Questo permette ad un numero esponenziale di transistor di essere impilati in verticale all’interno di un chip, rimuovendo i vincoli di densità ed efficienza energetica degli attuali transistor, che sono disposti orizzontalmente per giacere piatti sulla superficie di un semiconduttore“. Il nome VTFET sta per “Vertical Transport Field Effect Transistors”
Il progetto è in itinere, ma le ambizioni sono immediatamente altissime:
- le batterie dei telefoni cellulari che potranno durare più di una settimana senza essere caricate, invece che giorni;
- i processi ad alta intensità energetica, come le operazioni di criptomining e la crittografia dei dati, che potrebbero richiedere molta meno energia e avere una minore impatto sull’impronta di carbonio;
- l’espansione dell’Internet of Things (IoT) e dei dispositivi edge che potrebbe essere accelerata – richiedendo meno energia per operare in ambienti difficili, come boe oceaniche, veicoli a guida autonoma e veicoli spaziali.
Le potenziali applicazioni, insomma, sono estremamente ampie: il riferimento storico della Legge di Moore, a cui anche Intel sta guardando con nuovi piani di accelerazione, torna dunque ad essere avvicinata dopo che per qualche anno era sembrato impossibile proseguire oltre senza scavallare nel mondo della quantistica. VTFET dimostra che invece ci sono ancora margini di crescita, in attesa di ritrovare tutto ciò sul mercato per scaricarne i vantaggi sulla collettività e sugli obiettivi di contenimento dei consumi.
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14 dic 2021