IBM promette nuova vita al silicio

Il gigante di Armonk ha svelato una tecnologia per costruire circuiti con elementi di dimensioni inferiori ai 32 nanometri utilizzando le attuali tecniche di produzione dei chip. Ecco quali sviluppi si attendono
Il gigante di Armonk ha svelato una tecnologia per costruire circuiti con elementi di dimensioni inferiori ai 32 nanometri utilizzando le attuali tecniche di produzione dei chip. Ecco quali sviluppi si attendono

San Jose (USA) – I cari vecchi chip in silicio potrebbero andare in pensione più tardi del previsto. IBM ha infatti annunciato un modo per ridurre drasticamente la dimensione dei circuiti utilizzando le attuali tecniche di produzione.

Avvalendosi di una variante dell’attuale fotolitografia deep-ultraviolet ( DUV ), utilizzata per “stampare” i circuiti sui chip, gli scienziati di Big Blue sono riusciti a costruire un circuito in cui la larghezza dei singoli collegamenti elettrici, e degli spazi che li separano gli uni dagli altri, è di soli 29,9 nanometri (nm): una dimensione circa 3.000 volte inferiore a quella di un capello.

IBM ha spiegato che questi collegamenti sono grandi meno di un terzo rispetto ai circuiti a 90 nm attualmente sul mercato, e sono persino più piccoli dei circuiti a 32 nm che, fino a poco tempo fa, l’industria considerava il limite estremo per le tecniche litografiche.

Record-small array of 29.9-nanometer-wide lines and equally sized spaces created by IBM scientists “Il nostro obiettivo è allungare il più possibile la vita della litografia ottica, così da non dover ricorrere ad alternative costose finché non sarà assolutamente necessario”, ha dichiarato Robert D. Allen, responsabile dei materiali litografici presso il Centro di Ricerca Almaden di IBM. “Questo risultato dimostra chiaramente, come mai era stato fatto finora, che il settore avrà margini di manovra per almeno altri sette anni prima che si rendano necessari cambiamenti drastici nelle tecniche di produzione dei chip”.

Di seguito alcuni dettagli tecnici sulla nuova tecnologia messa a punto da IBM. Nell’ambito di questa iniziativa, volta a prolungare l’uso delle attuali tecniche di litografia ottica, IBM ha sviluppato un apparato sperimentale per litografia interferometrica battezzato NEMO . NEMO utilizza due raggi laser intersecanti per creare pattern di interferenze luce/ombra con spaziature più ristrette rispetto a quanto sia possibile con gli attuali macchinari di produzione di chip.

“NEMO è ideale per la ricerca, la sperimentazione e l’ottimizzazione dei diversi fluidi con indice di rifrazione elevato e i materiali fotoresistenti presi in considerazione per uso futuro nei sistemi DUV che andrebbero a creare pattern di dimensioni infinitesimali”, ha spiegato IBM.

Ora che i nuovi risultati di IBM aprono il cammino verso l’estensione della vita della litografia ottica, è necessario sviluppare materiali per lenti ad alto indice di rifrazione per assicurare la fattibilità commerciale di questa nuova soluzione.

Quando la luce attraversa un materiale trasparente, rallenta a seconda dell’ indice di rifrazione del materiale. In effetti quando la luce passa attraverso un materiale con un indice elevato, si comporta come se avesse una lunghezza d’onda inferiore e si ottiene un maggior grado di focalizzazione. La risoluzione nella litografia a immersione è limitata dall’indice di rifrazione più basso presentato dalla lente, dal fluido e dal materiale fotoresistente. Negli esperimenti di IBM con NEMO la lente e il fluido avevano indici di circa 1,6 e il materiale fotoresistente di 1,7. La ricerca mira ora a sviluppare lenti, fluidi e materiali fotoresistenti con indici di rifrazione pari a 1,9 , che renderebbero possibile la riproduzione di elementi ancor più minuti.

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21 02 2006
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