Samsung ha annunciato la prima memoria DDR5 da 512 GB al mondo realizzata con tecnologia HKMG (High-K Metal Gate). Quest’ultima, utilizzata finora nei processori, consente di ridurre la dispersione di corrente e quindi i consumi. Le nuove memorie troveranno posto nei supercomputer, tra cui quelli basati sui futuri Intel Xeon (Sapphire Rapids).
Samsung DDR5 con tecnologia HKMG
Il termine KHMG (High-K Metal Gate) indica il materiale utilizzato per isolare il gate di un transistor. In seguito alla miniaturizzazione dei transistor, il tradizionale materiale (diossido di silicio) non garantisce più l’isolamento, causando la comparsa di correnti indesiderate che incidono negativamente su consumi e prestazioni. Intel ha scelto l’afnio come materiale sostitutivo per i suoi processori Penryn a 45 nanometri (2007). Samsung non ha specificato il materiale usato per le nuove memorie, ma ha specificato che i consumi sono stati ridotti del 13%.
Il produttore coreano aveva già utilizzato la tecnologia HKMG per la memoria GDDR6 nel 2018. Ora è il turno della memoria DDR5 da 512 GB. Rispetto alla memoria DDR4 si raggiungono velocità doppie, ovvero fino a 7.200 Mbps. Le maggiori prestazioni verranno sfruttate dai supercomputer durante l’esecuzione di operazioni “pesanti” (intelligenza artificiale, machine learning, analisi dei dati).
Il modulo da 512 GB è stato ottenuto sovrapponendo otto layer da 16 Gb, grazie alla tecnologia TSV (Through-Silicon Via). Carolyn Duran, Vice Presidente del gruppo Memory and IO Technology di Intel ha confermato che le nuove memorie DDR5 verranno abbinate ai futuri processori Xeon Scalable basati sull’architettura Sapphire Rapids a 10 nanometri.
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25 mar 2021