Samsung ha annunciato tre tecnologie di memoria alla conferenza Future of Memory and Storage (FMS) 2026 a Santa Clara (California). Una è l’evoluzione della HBM (High Bandwidth Memory), mentre le altre due sono riservate allo storage. Durante lo stesso evento, SK hynix ha svelato le specifiche tecniche della tecnologia di storage HBF (High Bandwidth Flash), sviluppata in collaborazione con Sandisk.
zHBM, zNAND-O e V10 BV-NAND per Samsung
La memoria ad alte prestazioni utilizzata principalmente in GPU di fascia alta (come quelle sfruttate per addestramento e inferenza dei modelli AI) si chiama HBM (High Bandwidth Memory). Samsung è uno dei principali produttori mondiali con soluzioni HBM4, HBM4E e HBM5. La nuova architettura mostrata in anteprima è nota come zHBM.
Viene impilata verticalmente direttamente sopra gli acceleratori AI (la tradizionale HBM è posizionata accanto al processore). Minimizzando la distanza percorsa dai dati tra il processore AI e la memoria, zHBM offre una maggiore larghezza di banda e una migliore efficienza energetica, consentendo l’elaborazione ultraveloce dei dati per l’addestramento e l’inferenza AI. Si prevedono prestazioni circa otto volte superiori rispetto alla HBM5, una densità oltre 10 volte superiore e un’efficienza energetica tra volte maggiore.
L’azienda coreana ha inoltre mostrato in anteprima la zNAND-O, una soluzione NAND ad alte prestazioni basata sulla tecnologia V-NAND e attualmente in fase di sviluppo nelle versioni a quattro e otto layer. Grazie alla combinazione di elevata efficienza di spazio, prestazioni I/O migliorate e bassa latenza, zNAND-O è ottimizzata per gli ambienti di intelligenza artificiale edge, supportando applicazioni AI in tempo reale e ad alta intensità di dati.
Samsung ha infine svelato la V10 BV-NAND, ovvero Bonding V-NAND di decima generazione. È formata da oltre 400 layer e offre prestazioni, efficienza energetica e densità di archiviazione superiori rispetto alla precedente generazione. La tecnologia V10 BV-NAND migliora anche le prestazioni di lettura, scrittura e I/O.
HBF per SK hynix e Sandisk
La tecnologia High Bandwidth Flash (HBF), sviluppata da SK hynix insieme a Sandisk, è una via di mezzo tra HBM e SSD. Consente un trasferimento dati ad alta velocità simile a quello delle memorie HBM, incrementando al contempo la capacità in modo significativo grazie alla tecnologia NAND.
Possono essere realizzati moduli di memoria con capacità fino a 512 GB, basati su due configurazioni di stack (8 e 16 chip NAND). La larghezza di banda è suddivisa in tre livelli, offrendo prestazioni scalabili da circa 0,4 TB/s a 3,0 TB/s. Supporta l’interfaccia standard di connessione UCIe (Universal Chiplet Interconnect Express).
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9 ago 2026