I ricercatori della Rice University sostengono di aver scoperto come semplificare la produzione di massa di chip RRAM (Resistive Random Access Memory), tecnologia candidata a sostituire le tecnologie di storage attualmente sul mercato (HDD e SSD in primis) grazie alle sue indubbie qualità su tutti i fronti.
Le RRAM sono infatti chip di memoria RAM in grado di conservare le informazioni digitali allo spegnimento dell’erogazione di energia elettrica, molto più veloci delle memorie NAND Flash (usate negli SSD) nella scrittura dei dati, pur consumando una frazione dell’energia delle NAND, e in grado di durare 10 volte di più.
L’obiettivo fissato dall’industria è quello di portare presto capacità di storage degne di un computer (1 Terabyte) sui gadget mobile, e il lavoro condotto presso la Rice dovrebbe in tal senso aiutare parecchio : i ricercatori dicono di aver trovato il modo di produrre in massa i chip RRAM a temperatura ambiente, eliminando la necessità di far uso di contesti a basse temperature e realizzando chip capaci di lavorare a livelli di voltaggio adeguati per l’uso nei dispositivi portatili.
I gadget hi-tech del prossimo futuro avranno capacità di storage da 1 Terabyte e oltre, e a quanto pare saranno finalmente dotati di una batteria dalla durata triplicata rispetto a quelle “giornaliere” di oggi: in questo caso la ricerca arriva dalla Stanford University , dove si è riusciti a risolvere i problemi di affidabilità e sicurezza degli anodi al litio grazie all’uso di una copertura protettiva formata da nanosfere di carbonio spesse appena 20 nanometri.
Alfonso Maruccia
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30 lug 2014